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PDF RTE13J1M Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | RTE13J1M | |
| Descripción | Silicon P-channel MOSFET | |
| Fabricantes | Isahaya Electronics Corporation | |
| Logotipo |  |
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PRELIMINARY
DESCRIPTION
RTE13J1M is compound transistor built with correspond
INJ0001AX chip and 8.2V Zener diode in SC-88 package.
FEATURE
Silicon epitaxial type
Each transistor elements are independent.
Mini package for easy mounting
OUTLINE DRAWING
①
②
③
APPLICATION
Power supply circuit, Driver circuit, etc
RTE13J1M
Composite Transistor
Zener Diode
Silicon P-channel MOSFET
Unit：mm
2.1
1.25
⑥
⑤
④
⑥⑤④
Di
MOSFET
①②③
電極接続
①：ANODE
②：ＮＣ
③：DRAIN
④：SOURCE
⑤：GATE
⑥：CATHODE
JEITA：SC-88
JEDEC：－
MAXIMUM RATING(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
RATING
UNIT
VDSS
Drain-source voltage
-50 V
VGSS
ID
Gate-source voltage
Drain current(DC)
MOSFET
±8
-100
V
mA
IDP Drain current(Pulse)
-400(*1)
mA
PT Total power dissipation（Ta=25℃）
150(*2)
MOSFET
Tj Junction temperature
Di +150
Tstg Storage temperature
Common
-55～+150
mW
℃
℃
*1：Pw≦10μs, Duty cycle≦1% *2：Mounted on glass epoxy board(9mm×19mm×1mm)
MARKING
⑥⑤ ④
X03
①②③
ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION
1 page  
PRELIMINARY
【Di】TYPICAL CHARACTERISTICS
Iz-Vz
10
1
0.1
0.01
0.001
7
7.5 8 8.5 9 9.5
ZENER VOLTAGE Vz (V)
10
Zz-Iz
100
Ta=25℃
10
1
0.1 1 10
ZENER CURRENT Iz (mA)
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0
70
60
50
40
30
20
10
0
0
RTE13J1M
Composite Transistor
Zener Diode
Silicon P-channel MOSFET
IR-VR
123
REVERSE VOLTAGE VR (V)
4
Ct-VR
Ta=25℃
f=1MHz
123
REVERSE VOLTAGE VR (V)
4
ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| RTE13J1M | Silicon P-channel MOSFET | Isahaya Electronics Corporation |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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