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Número de pieza | FDB3632 | |
Descripción | N-Channel PowerTrench MOSFET | |
Fabricantes | Kexin | |
Logotipo | ||
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MOSFET
N-Channel PowerTrench MOSFET
KDB3632(FDB3632)
Features
rDS(ON) = 7.5m (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A
Qg(tot) = 84nC (Typ.), VGS = 10V
Low Miller Charge
Low QRR Body Diode
UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)
TO-263
+0.2
4.57+0.1 -0.2
1.27-0.1
Unit: mm
1.27+0.1
-0.1
0.1max
2.54+0.2
-0.2
5.08+0.1
-0.1
0.81+0.1
-0.1
2.54
0.4+0.2
-0.2
1 Gate
2 Drain
3 Source
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter
Drain to source voltage
Gate to source voltage
Drain current-Continuous TC 111
TA=25
Power dissipation
Derate above 25
Thermal Resistance Junction to Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Channel temperature
Storage temperature
Symbol
VDSS
VGSS
ID
PD
RèJA
RèJC
Tch
Tstg
Rating
100
20
80
12
310
2.07
43
0.48
175
-55 to +175
Unit
V
V
A
A
W
W/
/W
/W
www.kexin.com.cn 1
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PDF Descargar | [ Datasheet FDB3632.PDF ] |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
FDB3632 | N-Channel PowerTrench MOSFET 100V/ 80A/ 9m | Fairchild Semiconductor |
FDB3632 | N-Channel PowerTrench MOSFET | Kexin |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
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