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Número de pieza | HHV0405-175 | |
Descripción | Silicon MOSFET | |
Fabricantes | ASI | |
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1 page H V V0405-175 H igh Voltage, H igh Ruggedness
U H F Pulsed Power Transistor
420-470 MHz, 300µs Pulse, 10% Duty Cycle
For U H F band, Weather and Long Range Radar Applications
Typical device performance under Class AB mode of operation at 450MHz and RF pulse conditions of 300µs
pulse width and 10% duty cycle with VDD = 50V and IDQ = 50mA. The high voltage silicon vertical technology
shows less than 1dB of power degradation over an extreme case teperature rise of 125°C.
Measured at P1dB Compression Point
TEMP
-40C
0C
25C
85C
Gain (dB) Power (W)
26.5 224
25.9 233
25.5 237
24.2 210
Power (dBm)
53.5
53.7
53.7
53.2
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HVV0405-175 Performance over Temperature
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Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
HHV0405-175 | Silicon MOSFET | ASI |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
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