DataSheetWiki


KT8159B fiches techniques PDF

Integral - PNP Transistor

Numéro de référence KT8159B
Description PNP Transistor
Fabricant Integral 
Logo Integral 





1 Page

No Preview Available !





KT8159B fiche technique
КТ8159
p-n-p кремниевый
эпитаксиально-планарный
составной транзистор
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные составные транзисторы (транзисторы Дарлингтона).
Предназначены для применения в выходных каскадах усилителей низкой частоты, в ключевых и
линейных схемах, а также в узлах и блоках аппаратуры широкого применения.
Зарубежные прототипы
Прототипы – BDV64A-C
Особенности
Диапазон рабочих температур от - 60 до + 125°C
Комплиментаpная паpа - КТ8158
Обозначение технических условий
АДБК.432150.530 ТУ
Корпусное исполнение
пластмассовый корпус КТ-43 (ТО-218)
Назначение выводов
Вывод
1
2
3
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
КТ8159 (январь 2011г., редакция 1.0)
1

PagesPages 3
Télécharger [ KT8159B ]


Fiche technique recommandé

No Description détaillée Fabricant
KT8159 PNP Transistor Integral
Integral
KT8159A PNP Transistor Integral
Integral
KT8159B PNP Transistor Integral
Integral

US18650VTC5A

Lithium-Ion Battery

Sony
Sony
TSPC106

PCI Bus Bridge Memory Controller

ATMEL
ATMEL
TP9380

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

Advanced Semiconductor
Advanced Semiconductor


www.DataSheetWiki.com    |   2020   |   Contactez-nous  |   Recherche