|
|
Numéro de référence | KT8159B | ||
Description | PNP Transistor | ||
Fabricant | Integral | ||
Logo | |||
КТ8159
p-n-p кремниевый
эпитаксиально-планарный
составной транзистор
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные составные транзисторы (транзисторы Дарлингтона).
Предназначены для применения в выходных каскадах усилителей низкой частоты, в ключевых и
линейных схемах, а также в узлах и блоках аппаратуры широкого применения.
Зарубежные прототипы
• Прототипы – BDV64A-C
Особенности
• Диапазон рабочих температур от - 60 до + 125°C
• Комплиментаpная паpа - КТ8158
Обозначение технических условий
• АДБК.432150.530 ТУ
Корпусное исполнение
• пластмассовый корпус КТ-43 (ТО-218)
Назначение выводов
Вывод
№1
№2
№3
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
КТ8159 (январь 2011г., редакция 1.0)
1
|
|||
Pages | Pages 3 | ||
Télécharger | [ KT8159B ] |
No | Description détaillée | Fabricant |
KT8159 | PNP Transistor | Integral |
KT8159A | PNP Transistor | Integral |
KT8159B | PNP Transistor | Integral |
US18650VTC5A | Lithium-Ion Battery | Sony |
TSPC106 | PCI Bus Bridge Memory Controller | ATMEL |
TP9380 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | Advanced Semiconductor |
www.DataSheetWiki.com | 2020 | Contactez-nous | Recherche |