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3DD13007Z8 fiches techniques PDF

Huajing Microelectronics - Silicon NPN Transistor

Numéro de référence 3DD13007Z8
Description Silicon NPN Transistor
Fabricant Huajing Microelectronics 
Logo Huajing Microelectronics 





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3DD13007Z8 fiche technique
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD13007 Z8
R
产品概述
3DD13007 Z8 NPN
型功率开关晶体管,该产品
采用平面工艺压环终端
构和少寿命控制技术
成了源抗饱和网络
高了产品击穿电压、开关
和可靠性。
产品特点
开关损
反向漏电流小
特性好
合适开关速
可靠性高
应用
紧凑型电子节能灯
电子镇流器
一般功率开关
特征参数
符号
额定值 单 位
VCEO
IC
Ptot TC=25℃)
200
8
75
V
A
W
封装 TO-220AB
存储条件和焊接温度
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40
1 265
相对湿度 <85
内部结构图
C
B
极限值
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流(tp5ms
基极直流电流
基极脉冲电流(tp5ms
耗散功率
结温
贮存温度
热阻
参数名称
结到壳的热阻
结到环境的热阻
E
Ta=25
Tc=25
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Ptot
Tj
Tstg
额定值
350
200
9
8
16
4
8
2.0
75
150
-55150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
符号
RθJC
RθJA
最小值
典型值
最大值
1.6
62.5
单位
/W
/W
无锡华润华晶微电子有限公司
2012
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Fiche technique recommandé

No Description détaillée Fabricant
3DD13007Z7 Silicon NPN Transistor Huajing Microelectronics
Huajing Microelectronics
3DD13007Z8 Silicon NPN Transistor Huajing Microelectronics
Huajing Microelectronics

US18650VTC5A

Lithium-Ion Battery

Sony
Sony
TSPC106

PCI Bus Bridge Memory Controller

ATMEL
ATMEL
TP9380

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

Advanced Semiconductor
Advanced Semiconductor


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