DataSheetWiki


2CZ10100A9 fiches techniques PDF

Huajing Microelectronics - N-type Silicon Schottky Rectifier Diode

Numéro de référence 2CZ10100A9
Description N-type Silicon Schottky Rectifier Diode
Fabricant Huajing Microelectronics 
Logo Huajing Microelectronics 





1 Page

No Preview Available !





2CZ10100A9 fiche technique
N 型肖特基整流二极管
2CZ10100 A9
R
产品概述
2CZ10100 A9 是阳极
短路肖特基二
的正向压降特性和
特性。典型应用为
开关电整流输出、续
管、反向保护
产品特点
150℃工作结温
●高开关速度
●低正向压降
●低功率损耗
●保护环结构
符号
VRRM
IFAV
VFMAX
特征参数
额定值
100
10
0.85
封装
单位
V
A
V
存储条件和焊接温度
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40
1
相对湿度 <85
265
内部结构图
极限值
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
最大可重复峰值反向电压
最大直流阻断电压
平均整流电流
不重复峰值浪涌电流(8.3mssinusoidal
可重复反向浪涌电流(2μs1kHz
最高工作结温
贮存温度
电压变化率
热阻
参数名称
结到壳的热阻
符号
RθJC
符号
VRRM
VR
IFAV
IFSM
IRRM
Tj
Tstg
dV/dt
额定值
100
100
10
150
0.5
150
-55150
10
单位
V
V
A
A
A
KV/μs
最小值
典型值
最大值
4.5
单位
/W
无锡华润华晶微电子有限公司
2015V01
1/4

PagesPages 4
Télécharger [ 2CZ10100A9 ]


Fiche technique recommandé

No Description détaillée Fabricant
2CZ10100A8 N-type Silicon Schottky Rectifier Diode Huajing Microelectronics
Huajing Microelectronics
2CZ10100A9 N-type Silicon Schottky Rectifier Diode Huajing Microelectronics
Huajing Microelectronics

US18650VTC5A

Lithium-Ion Battery

Sony
Sony
TSPC106

PCI Bus Bridge Memory Controller

ATMEL
ATMEL
TP9380

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

Advanced Semiconductor
Advanced Semiconductor


www.DataSheetWiki.com    |   2020   |   Contactez-nous  |   Recherche