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Numéro de référence | 2CR104B8C | ||
Description | N-type Silicon Schottky Rectifier Diode | ||
Fabricant | Huajing Microelectronics | ||
Logo | |||
硅 N 型快恢复整流二极管
2CR104B8C
○R
1 产品概述:
2CR104B8C 是 N 型硅外延超快恢复二极管,采用平面制造工艺及
重金属掺杂工艺,具有低正向压降、低反向漏电及超快反向恢复
速度的优点。
产品封装形式:TO-220AC,符合 RoHS 指令要求。
2 产品特点:
l 超快反向恢复速度
l 超低反向漏电
l 低正向压降
l 高抗浪涌能力
3 主要用途:
应用于高频电源开关、电源转换电路及常规用途等,如:
l 电动车充电器
l 不间断电源(UPS)
l 缓冲器
l 逆变器
l 电机驱动
特征参数
VR
IF(AV)
VF(IF=10A)
trr(IF=0.5A)
400
10
1.3
40
V
A
V
ns
内部等效原理图
1
2
产品中有毒有害物质或元素的名称及含量
部件名称
(含量要求)
引线框
塑封树脂
管芯
内引线
焊料
说明
有害物质或元素
铅 汞 镉 六价铬 多溴联苯 多溴二苯醚
(Pb) (Hg) (Cd) (Cr(VI)) (PBB) (PBDE)
≤0.1% ≤0.1% ≤0.01% ≤0.1% ≤0.1%
≤0.1%
○○○○○
○
○○○○○
○
○○○○○
○
○○○○○
○
×○○○○
○
○:表示该元素的含量在 SJ/T11363-2006 标准的限量要求以下。
×:表示该元素的含量超出 SJ/T11363-2006 标准的限量要求。
目前产品的焊料中含有铅(Pb)成分,但属于欧盟 RoHS 指令豁免范围。
无锡华润华晶微电子有限公司
2015V01
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Pages | Pages 5 | ||
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No | Description détaillée | Fabricant |
2CR104B8C | N-type Silicon Schottky Rectifier Diode | Huajing Microelectronics |
US18650VTC5A | Lithium-Ion Battery | Sony |
TSPC106 | PCI Bus Bridge Memory Controller | ATMEL |
TP9380 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | Advanced Semiconductor |
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