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R6S05-H fiches techniques PDF

Huajing Microelectronics - Silicon rectifier bridge

Numéro de référence R6S05-H
Description Silicon rectifier bridge
Fabricant Huajing Microelectronics 
Logo Huajing Microelectronics 





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R6S05-H fiche technique
产品概述
R6S05-H 是 硅 整 流 桥
堆,该产品采用平面工艺,
高温漏电电流极可靠
性较
硅整流桥堆
R6S05-H
R
产品特点
●超低反向漏电电流
●封装厚度薄
ESD 击穿电压高
●无铅封装
●耐焊接温度高
应用
符号
VR
IF
特征参数
额定值
600
0.5
单位
V
A
封装 SOP4
LED 整流电
节能灯
中小功率
存储条件和焊接温度
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40
1
相对湿度 <85
265
内部结构图
极限值 Per Diode
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
重复峰值反向电压
直流阻断电压
平均正向整流电流
持续正向整流峰值电流
峰值正向浪涌电流
结到管壳的热阻最大值
贮存温度
符号
VRRM
VDC
IF(AV)
Imax
IFSM
RӨJA
Tstg
额定值
600
600
0.5
2
10
200
-55150
单位
V
V
A
A
A
/W
无锡华润华晶微电子有限公司
2015V01
1/4

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No Description détaillée Fabricant
R6S05-H Silicon rectifier bridge Huajing Microelectronics
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