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DD1200S17H4_B2 fiches techniques PDF

Infineon - IGBT-Module

Numéro de référence DD1200S17H4_B2
Description IGBT-Module
Fabricant Infineon 
Logo Infineon 





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DD1200S17H4_B2 fiche technique
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
DD1200S17H4_B2
IHM-BModul
IHM-Bmodule
TypischeAnwendungen
• 3-Level-Applikationen
• AktiverEingang(Rückspeisung)
• Hochleistungsumrichter
• Multi-LevelUmrichter
• Traktionsumrichter
• Windgeneratoren
ElektrischeEigenschaften
• ErweiterteSperrschichttemperaturTvjop
• HoheStromdichte
• Tvjop=150°C
MechanischeEigenschaften
• 4kVAC1minIsolationsfestigkeit
AlSiC Bodenplatte für erhöhte thermische
Lastwechselfestigkeit
• GehäusemitCTI>400
• GroßeLuft-undKriechstrecken
• HoheLast-undthermischeWechselfestigkeit
• HoheLeistungsdichte
• IHMBGehäuse
VCES = 1700V
IC nom = 1200A / ICRM = 2400A
TypicalApplications
• 3-level-applications
• Activefrontend(energyrecovery)
• Highpowerconverters
• Multilevelinverter
• Tractiondrives
• Windturbines
ElectricalFeatures
• ExtendedoperatingtemperatureTvjop
• Highcurrentdensity
• Tvjop=150°C
MechanicalFeatures
• 4kVAC1mininsulation
AlSiC base plate for increased thermal cycling
capability
• PackagewithCTI>400
• Highcreepageandclearancedistances
• Highpowerandthermalcyclingcapability
• Highpowerdensity
• IHMBhousing
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
preparedby:WB
approvedby:IB
ContentoftheCode
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
Digit
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
dateofpublication:2016-01-21
revision:V3.1
ULapproved(E83335)
1

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No Description détaillée Fabricant
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