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Numéro de référence | DD1200S17H4_B2 | ||
Description | IGBT-Module | ||
Fabricant | Infineon | ||
Logo | |||
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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
DD1200S17H4_B2
IHM-BModul
IHM-Bmodule
TypischeAnwendungen
• 3-Level-Applikationen
• AktiverEingang(Rückspeisung)
• Hochleistungsumrichter
• Multi-LevelUmrichter
• Traktionsumrichter
• Windgeneratoren
ElektrischeEigenschaften
• ErweiterteSperrschichttemperaturTvjop
• HoheStromdichte
• Tvjop=150°C
MechanischeEigenschaften
• 4kVAC1minIsolationsfestigkeit
• AlSiC Bodenplatte für erhöhte thermische
Lastwechselfestigkeit
• GehäusemitCTI>400
• GroßeLuft-undKriechstrecken
• HoheLast-undthermischeWechselfestigkeit
• HoheLeistungsdichte
• IHMBGehäuse
VCES = 1700V
IC nom = 1200A / ICRM = 2400A
TypicalApplications
• 3-level-applications
• Activefrontend(energyrecovery)
• Highpowerconverters
• Multilevelinverter
• Tractiondrives
• Windturbines
ElectricalFeatures
• ExtendedoperatingtemperatureTvjop
• Highcurrentdensity
• Tvjop=150°C
MechanicalFeatures
• 4kVAC1mininsulation
• AlSiC base plate for increased thermal cycling
capability
• PackagewithCTI>400
• Highcreepageandclearancedistances
• Highpowerandthermalcyclingcapability
• Highpowerdensity
• IHMBhousing
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
preparedby:WB
approvedby:IB
ContentoftheCode
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
Digit
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
dateofpublication:2016-01-21
revision:V3.1
ULapproved(E83335)
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Pages | Pages 7 | ||
Télécharger | [ DD1200S17H4_B2 ] |
No | Description détaillée | Fabricant |
DD1200S17H4_B2 | IGBT-Module | Infineon |
US18650VTC5A | Lithium-Ion Battery | Sony |
TSPC106 | PCI Bus Bridge Memory Controller | ATMEL |
TP9380 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | Advanced Semiconductor |
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