PDF R6004END Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza	R6004END
Descripción	Nch 600V 4A Power MOSFET
Fabricantes	ROHM Semiconductor
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No Preview Available ! R6004END 　　Nch 600V 4A Power MOSFET 　　 Datasheet VDSS 600V lOutline TO-252 　 RDS(on)(Max.) 0.98Ω SC-63 ID ±4.0A CPT3 PD lFeatures 58W 　　　　　　　 lInner circuit 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to 　　be ±20V. 4) Drive circuits can be simple. 5) Parallel use is easy. 6) Pb-free lead plating ; RoHS compliant lPackaging specifications Packing Embossed Tape Reel size (mm) 330 lApplication Switching Type Tape width (mm) Basic ordering unit (pcs) 16 2500 Taping code TL Marking lAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C ,unless otherwise specified) Parameter Symbol Value R6004E Unit Drain - Source voltage Continuous drain current Pulsed drain current TC = 25°C TC = 100°C VDSS ID1 ID1 IDP2 600 V ±4.0 A ±2.2 A ±8.0 A Gate - Source voltage Static AC(f＞1Hz) VGSS ±20 V ±30 V Avalanche current, repetitive IAR3 0.8 A Avalanche energy, single pulse EAS3 46 mJ Avalanche energy, repetitive EAR3 0.13 mJ Power dissipation (TC = 25°C) PD*4 58 W Junction temperature Tj 150 ℃ Operating junction and storage temperature range Tstg -55～+150 ℃ 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 www.rohm.com © 2016 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/12 20160324 - Rev.001 　　 1 page R6004END 　　　　　　 lElectrical characteristic curves Fig.1 Power Dissipation Derating Curve 　　　　　　　　 Datasheet Fig.2 Normalized Transient Thermal 　　　　Resistance vs. Pulse Width Fig.3 Avalanche Energy Derating 　　　　Curve vs. Junction Temperature 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 www.rohm.com © 2016 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 5/12 20160324 - Rev.001 5 Page R6004END 　　　　　　 lMeasurement circuits Fig.1-1 Switching Tim　e　Me　as　ure　me　nt　Cir　cui　t 　　　　　　　　　　　 Datasheet Fig.1-2 Switching W　av　efo　rm　s 　　　　　　　　 Fig.2-1 Gate Charge　M　eas　ure　m　ent　Ci　rcu　it 　　　　 Fig.2-2 Gate Charg　e W　av　ef　orm　　　　　　　　 Fig.3-1 Avalanche M　eas　ur　em　ent　Ci　rcu　it 　　　　　 Fig.3-2 Avalanche W　av　ef　orm　　　　　　　　　 Fig.4-1 dv/dt Measur　em　en　t C　ircu　it 　　　　　　　 Fig.4-2 dv/dt Wavef　orm　　　　　　　　　　　 Fig.5-1 dv/dt Measur　em　en　t C　ircu　it 　　　　　　　 Fig.5-2 dv/dt Wavef　orm　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 www.rohm.com © 2016 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 11/12 20160324 - Rev.001 11 Page

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Hoja de datos destacado

Número de pieza	Descripción	Fabricantes
R6004END	Nch 600V 4A Power MOSFET	ROHM Semiconductor
R6004ENX	Nch 600V 4A Power MOSFET	ROHM Semiconductor

Número de pieza	Descripción	Fabricantes
SLA6805M	High Voltage 3 phase Motor Driver IC.	Sanken
SDC1742	12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.	Analog Devices

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