|
|
Número de pieza | P9006EVG | |
Descripción | P-Channel Enhancement Mode MOSFET | |
Fabricantes | UNIKC | |
Logotipo | ||
Hay una vista previa y un enlace de descarga de P9006EVG (archivo pdf) en la parte inferior de esta página. Total 5 Páginas | ||
No Preview Available ! P9006EVG
P-Channel Enhancement Mode MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
-60V
90mΩ @VGS = -10V
ID
-4.5A
SOP- 08
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
LIMITS
Drain-Source Voltage
VDS -60
Gate-Source Voltage
VGS ±20
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
TA = 25 °C
TA = 70 °C
ID
IDM
-4.5
-3.5
-20
Power Dissipation
TA = 25 °C
TA = 70 °C
PD
2.5
1.6
Operating Junction & Storage Temperature Range
TJ, TSTG
-55 to 150
UNITS
V
A
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
Junction-to-Ambient
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
2Duty cycle ≦ 1%.
SYMBOL
RθJA
TYPICAL
MAXIMUM UNITS
50 °C / W
Ver 1.0
1 2012/7/17
1 page P9006EVG
P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Ver 1.0
5 2012/7/17
5 Page |
Páginas | Total 5 Páginas | |
PDF Descargar | [ Datasheet P9006EVG.PDF ] |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
P9006EVG | P-Channel Enhancement Mode MOSFET | UNIKC |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
DataSheet.es es una pagina web que funciona como un repositorio de manuales o hoja de datos de muchos de los productos más populares, |
DataSheet.es | 2020 | Privacy Policy | Contacto | Buscar |