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PDF PD636BA Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | PD636BA | |
| Descripción | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | |
| Fabricantes | UNIKC | |
| Logotipo |  |
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PD636BA
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
30V 9mΩ @VGS = 10V
ID
48A
TO-252
100% RG Test
100% UIL Test
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
LIMITS
Drain-Source Voltage
VDS 30
Gate-Source Voltage
VGS ±20
Continuous Drain Current2
Pulsed Drain Current1
TC= 25 °C
TC= 100 °C
ID
IDM
48
30.5
120
Avalanche Current
IAS 20
Avalanche Energy
L=0.1mH EAS 20.8
Power Dissipation
TC= 25 °C
TC= 100°C
PD
37.9
15
Junction & Storage Temperature Range
Tj, Tstg
-55 to 150
UNITS
V
V
A
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
2Package limitation current is 20A.
SYMBOL
RqJC
RqJA
TYPICAL
MAXIMUM
3.3
62.5
UNITS
°C / W
REV 1.0
1 2014/11/11
1 page  
PD636BA
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
*因为各家封装模具不同而外观略有所差异，不影响电性及Layout。
REV 1.0
5
2014/11/11
5 Page | ||
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| PD636BA | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | UNIKC |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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