DataSheetWiki

DG1N65S Datasheet دیتاشیت PDF دانلود

دیتاشیت - DGME - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

شماره قطعه DG1N65S
شرح مفصل N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
تولید کننده DGME 
آرم DGME 


1 Page

		

No Preview Available !

DG1N65S شرح
DG1N65S
N 沟道增强型场效应晶体管
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
版本号:V1.0
产品概述 General Description
DG1N65SN沟道增强型场效应晶体管,应用了东光微电的相关专利技术,采用自对准平
面工艺及先进的终端耐压技术,降低了导通损耗,提高了开关特性,增强了雪崩耐量。该
产品能应用于多种功率开关电路,使得电源能效更高,系统更加小型化。
DG1N65S is an N-channel enhancement mode MOSFET, which is produced using Dongguang
Micro-electronics’s proprietary. The self-aligned planar process and improved terminal technology
reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy.
The transistor can be used in various power switching circuit for higher efficiency and system
miniaturization.
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
VDSS
ID
RDS(ON)
Crss
650
0.5
12
3.6
V
A
pF
符号 Symbol
封装 Package
1 /8

قانون اساسیصفحه 8
دانلود [ DG1N65S دیتاشیت ]



دیتاشیت توصیه

شماره قطعه شرح مفصل تولید کنندگان
DG1N65 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DGME
DGME
DG1N65S N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DGME
DGME

US18650VTC5A

Lithium-Ion Battery

Sony
Sony
TSPC106

PCI Bus Bridge Memory Controller

ATMEL
ATMEL
TP9380

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

Advanced Semiconductor
Advanced Semiconductor

0  1  2  3  4  5  6  7  8  9  A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  K  L  M  N  O  P  Q  R  S  T  U  V  W  X  Y  Z



www.DataSheetWiki.com    |   2018   |   تماس با ما  |   جستجو