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PDF EMD02N60AK Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMD02N60AK
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMD02N60AK Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
600V 
D
RDSON (MAX.) 
5.0Ω 
ID  2A 
G
 
UIS, 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 3mH, ID=2A, RG=25Ω 
L = 0.5mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
2015/3/27 
EMD02N60AK
LIMITS 
±30 
2 
1.25 
8 
2 
6 
1 
30 
12 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
MAXIMUM 
4.2 
110 
UNIT 
°C / W 
p.1 

1 page




EMD02N60AK pdf
 
 
 
  18
G a te C h a rg e C h a ra c te ris tic s
ID = 1 A
 
15
 
12
 
 9
V DS =150V
300V
 6
 
3
 
0
  0 2 4 6 8 10 12 14
Q g ,G a te C h a rg e ( n C )
  Maximum Safe Operating Area
100
 
 
10
  R D S ( O N ) Limit
100μs
1ms
 
1
10ms
  100ms
  0.1
  VG S  = 10V
Single Pulse
  R  JC  = 4.2°C/W
  TA   = 25°C
1s
DC
 
0.01
 1
 
10 100 1000
VD S   ‐ DrainSource Voltage( V )
10000
 
1
  Duty Cycle = 0.5
Transient Thermal Response Curve
 
  0.1
 
  0.01
 
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
  0.001
105 104 103 102
101
  t 1 ,Time (sec)
 
 
 
 
 
2015/3/27 
  EMD02N60AK
1000
100
10
C a p a c ita n c e  C h a ra c te ris tic s
C is s
f =  1  M H z
V GS= 0  V
C o ss
C rss
1
0 5 10 15 20 25 30
V DS ‐D ra in S o u rc e  V o lta g e ( V  )
Notes:
P DM
t1
1.Duty Cycle,D =t2 t1
t2
2.Rθ  J C  = 4.2°C/W
3.TJ  ‐  TA   = P * Rθ  J A  (t)
4.Rθ  J C (t)=r(t) * RθJC
1 10
100
p.5 

5 Page










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PDF Descargar[ Datasheet EMD02N60AK.PDF ]




Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMD02N60AField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMD02N60AKField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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