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Numéro de référence | D30FDC4S | ||
Description | Schottky Barrier Diode | ||
Fabricant | SHINDENGEN | ||
Logo | |||
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Twin SchottkyBarrierDiode
D30FDC4S
■外観図 OUTLINE
Package:FD
40V30A
特長
煙車載用途も対応可能
煙低 VF
煙SMDパッケージ
00 00
30FDC4S
Unit:mm
Feature
煙 Availableforautomotiveuse
煙 LowVF
煙 SMDpackage
外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourweb site.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings(指定のない場合 Tc=25℃/unlessotherwisespecified)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値
Ratings
単位
Unit
保存温度
StorageTemperature
接合部温度
OperatingJunctionTemperature
せん頭逆電圧
Maximum ReverseVoltage
出力電流
AverageRectifiedForwardCurrent
せん頭サージ順電流
PeakSurgeForwardCurrent
Tstg
Tj
VRM
Io
IFSM
50Hz正弦波,抵抗負荷,一素子当たりの出力電流平均値 Io/2,Tc=114℃
50Hzsinewave,Resistanceload,RatingforeachdiodeIo/2,Tc=114˚C
50Hz正弦波,非繰り返し 1サイクルせん頭値,Tj=25℃
50Hzsinewave,Non-repetitive1cyclepeakvalue,Tj=25˚C
-55~150
150
40
30
300
℃
℃
V
A
A
●電気的・熱的特性
順電圧
ForwardVoltage
逆電流
ReverseCurrent
接合容量
JunctionCapacitance
熱抵抗
ThermalResistance
ElectricalCharacteristics(指定のない場合 Tc=25℃/unlessotherwisespecified)
VF
IR
Cj
θjc
IF=15A,
パルス測定,一素子当たりの規格値
Pulsemeasurement,Perdiode
VR=40V,
パルス測定,一素子当たりの規格値
Pulsemeasurement,Perdiode
f=1MHz,VR=10V,
一素子当たりの規格値
Perdiode
接合部・ケース間
Junctiontocase
MAX 0.55
MAX 1.5
TYP 415
MAX 1.6
V
mA
pF
℃/W
(J532-p〈2013.12〉)
www.shindengen.co.jp/product/semi/
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No | Description détaillée | Fabricant |
D30FDC4S | Schottky Barrier Diode | SHINDENGEN |
US18650VTC5A | Lithium-Ion Battery | Sony |
TSPC106 | PCI Bus Bridge Memory Controller | ATMEL |
TP9380 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | Advanced Semiconductor |
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