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D30FDC4S fiches techniques PDF

SHINDENGEN - Schottky Barrier Diode

Numéro de référence D30FDC4S
Description Schottky Barrier Diode
Fabricant SHINDENGEN 
Logo SHINDENGEN 





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D30FDC4S fiche technique
Twin SchottkyBarrierDiode
D30FDC4S
■外観図 OUTLINE
PackageFD
40V30A
特長
車載用途も対応可能
低 VF
SMDパッケージ
00 00
30FDC4S
Unit:mm
Feature
Availableforautomotiveuse
LowVF
SMDpackage
外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourweb site.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings指定のない場合 Tc=25℃/unlessotherwisespecified)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値
Ratings
単位
Unit
保存温度
StorageTemperature
接合部温度
OperatingJunctionTemperature
せん頭逆電圧
Maximum ReverseVoltage
出力電流
AverageRectifiedForwardCurrent
せん頭サージ順電流
PeakSurgeForwardCurrent
Tstg
Tj
VRM
Io
IFSM
50Hz正弦波,抵抗負荷,一素子当たりの出力電流平均値 Io/2,Tc=114℃
50Hzsinewave,Resistanceload,RatingforeachdiodeIo/2,Tc=114˚C
50Hz正弦波,非繰り返し 1サイクルせん頭値,Tj=25℃
50Hzsinewave,Non-repetitive1cyclepeakvalue,Tj=25˚C
-55~150
150
40
30
300
V
A
A
●電気的・熱的特性
順電圧
ForwardVoltage
逆電流
ReverseCurrent
接合容量
JunctionCapacitance
熱抵抗
ThermalResistance
ElectricalCharacteristics指定のない場合 Tc=25℃/unlessotherwisespecified)
VF
IR
Cj
θjc
IF=15A,
パルス測定,一素子当たりの規格値
Pulsemeasurement,Perdiode
VR=40V,
パルス測定,一素子当たりの規格値
Pulsemeasurement,Perdiode
f=1MHz,VR=10V,
一素子当たりの規格値
Perdiode
接合部・ケース間
Junctiontocase
MAX 0.55
MAX 1.5
TYP 415
MAX 1.6
V
mA
pF
℃/W
J532-p2013.12〉)
www.shindengen.co.jp/product/semi/

PagesPages 4
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Fiche technique recommandé

No Description détaillée Fabricant
D30FDC4S Schottky Barrier Diode SHINDENGEN
SHINDENGEN

US18650VTC5A

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Sony
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PCI Bus Bridge Memory Controller

ATMEL
ATMEL
TP9380

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

Advanced Semiconductor
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