P60B4EL Datasheet PDF - SHINDENGEN
| Part Number | P60B4EL | |
| Description | Power MOSFET ( Transistor ) | |
| Manufacturers | SHINDENGEN | |
| Logo |  |
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Nch
P60B4EL
PowerMOSFET
■外観図 OUTLINE
Package：FB
Unit：mm
40V60A
特長
煙面実装タイプ
煙低オン抵抗
煙４.５V駆動
煙低容量
Feature
煙SMD
煙LowRON
煙4.5VGateDrive
煙LowCapacitance
P60B4EL
000000
外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourweb site.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings（指定のない場合 Tc＝25℃/unlessotherwisespecified）
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値
Ratings
単位
Unit
保存温度
StorageTemperature
チャネル温度
ChannelTemperature
ドレイン・ソース間電圧
Drain-SourceVoltage
ゲート・ソース間電圧
GateSourceVoltage
ドレイン電流（直流）
ContinuousDrainCurrent(DC)
ドレイン電流（ピーク）
ContinuousDrainCurrent(Peak)
全損失
TotalPowerDissipation
単発アバランシェ電流
SingleAvalancheCurrent
単発アバランシェエネルギー
SingleAvalancheEnergy
Tstg
Tch
VDSS
VGSS
ID
IDP
PT
IAS
EAS
パルス幅 10μs,duty=1/100
Pulsewidth10µs,duty=1/100
StartingTch=25℃,Tch≦150℃
StartingTch=25℃,Tch≦150℃
－55～150
150
40
±20
60
240
62.5
40
175
℃
V
A
W
A
mJ
●電気的・熱的特性 ElectricalCharacteristics（指定のない場合 Tc＝25℃/unlessotherwisespecified）
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値 Ratings 単位
MIN TYP MAX Unit
ドレイン・ソース間降伏電圧
Drain-SourceBreakdownVoltage
ドレイン遮断電流
ZeroGateVoltageDrainCurrent
ゲート漏れ電流
Gate-SourceLeakageCurrent
順伝達コンダクタンス
ForwardTransconductance
V（BR）DSS ID＝1mA,VGS＝0V
IDSS VDS＝40V,VGS＝0V
IGSS VGS＝±20V,VDS＝0V
gfs ID＝30A,VDS＝10V
ドレイン・ソース間オン抵抗
RStaticDrain-SourceOn-stateResistance （DS）ON
ID＝30A,VGS＝10V
ID＝30A,VGS＝4.5V
ゲートしきい値電圧
GateThresholdVoltage
VTH ID＝1mA,VDS＝10V
ソース・ドレイン間ダイオード順電圧
Source-DrainDiodeForwardVoltage
VSD
IS＝60A,VGS＝0V
熱抵抗
ThermalResistance
θjc 接合部・ケース間
Junctiontocase
ゲート全電荷量
TotalGateCharge
Qg
ゲート・ソース電荷量
GatetoSourceCharge
Qgs VDD＝32V,VGS＝10V,ID＝60A
ゲート・ドレイン電荷量
GatetoDrainCharge
Qgd
入力容量
InputCapacitance
Ciss
帰還容量
ReverseTransferCapacitance
Crss VDS＝25V,VGS＝0V,f＝1MHz
出力容量
OutputCapacitance
Coss
ターンオン遅延時間
Turn-ondelaytime
td（on）
上昇時間
Risetime
tr ID＝30A,RL＝0.67Ω,VDD＝20V,Rg＝0Ω,
ターンオフ遅延時間
Turn-offdelaytime
td（off） VGS（＋）＝10V,VGS（－）＝0V
降下時間
Falltime
tf
ダイオード逆回復時間
DiodeReverseRecoveryTime
ダイオード逆回復電荷量
DiodeReverseRecoveryCharge
trr
Qrr
IF＝60A,VGS＝0V,di/dt＝100A/μs
40 ─ ─
V
──
1 μA
─ ─ ±0.1
19 38 ─
S
─ 3.3 4.2
─ 4.6 6.2 mΩ
1.5 2.0 2.5
─ ─ 1.5
V
──
2 ℃/W
─ 57 ─
─ 10 ─ nC
─ 18 ─
─ 2900 ─
─ 280 ─ pF
─ 500 ─
─ 10 ─
─ 24 ─ ns
─ 22 ─
─ 4─
─ 40 ─ ns
─ 47 ─ nC
（MOS-p〈2014.03〉）
www.shindengen.co.jp/product/semi/
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Part DetailsOn this page, you can learn information such as the schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, and manual for P60B4EL electronic component. |
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Featured Datasheets
| Part Number | Description | MFRS |
| P60B4EL | The function is Power MOSFET ( Transistor ). SHINDENGEN | |
Semiconductors commonly used in industry:
1N4148 |
BAW56 |
1N5400 |
NE555 | | ||
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