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PDF P6B52HP2 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | P6B52HP2 | |
| Descripción | Power MOSFET ( Transistor ) | |
| Fabricantes | SHINDENGEN | |
| Logotipo |  |
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P6B52HP2
PowerMOSFET
■外観図 OUTLINE
Package：FB
Unit：mm
525V6A
特長
煙面実装タイプ
煙高耐圧
煙低ノイズ
煙低オン抵抗
Feature
煙 SMD
煙 HighVoltage
煙 LowNoise
煙 LowRON
P6B52H2
000000
外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourweb site.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings（指定のない場合 Tc＝25℃/unlessotherwisespecified）
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値
Ratings
単位
Unit
保存温度
StorageTemperature
チャネル温度
ChannelTemperature
ドレイン・ソース間電圧
Drain-SourceVoltage
ゲート・ソース間電圧
Drain-SourceVoltage
ドレイン電流（直流）
ContinuousDrainCurrent(DC)
ドレイン電流（ピーク）
ContinuousDrainCurrent(Peak)
ソース電流（直流）
ContinuousSourceCurrent(DC)
全損失
TotalPowerDissipation
繰り返しアバランシェ電流
RepetitiveAvalancheCurrent
単発アバランシェエネルギー
SingleAvalancheEnergy
繰り返しアバランシェエネルギー
RepetitiveAvalancheEnergy
ドレインソース間ダイオード di/dt耐量
Drain-SourceDiodedi/dtStrength
Tstg
Tch
VDSS
VGSS
ID
IDP
パルス幅 10μs,duty=1/100
Pulsewidth10µs,duty=1/100
IS
PT
IAR StartingTch=25℃,Tch≦150℃
EAS StartingTch=25℃,Tch≦150℃
EAR StartingTch=25℃,Tch≦150℃
di/dt Is＝6A,Tc＝ 25℃
－55～150
150
525
±30
6
24
6
70
6
50
5
350
℃
V
A
W
A
mJ
A/μs
●電気的・熱的特性 ElectricalCharacteristics（指定のない場合
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
ドレイン・ソース間降伏電圧
Drain-SourceBreakdownVoltage
V（BR）DSS ID＝1mA,VGS＝0V
ドレイン遮断電流
ZeroGateVoltageDrainCurrent
IDSS VDS＝ 525V,VGS＝0V
ゲート漏れ電流
Gate-SourceLeakageCurrent
IGSS VGS＝ ±25V,VDS＝0V
順伝達コンダクタンス
ForwardTransconductance
gfs ID＝ 3A,VDS＝10V
ドレイン・ソース間オン抵抗
StaticDrain-SourceOn-stateResistance
R（DS）ON
ID＝ 3A,VGS＝10V
ゲートしきい値電圧
GateThresholdVoltage
VTH ID＝ 1mA,VDS＝10V
ソース・ドレイン間ダイオード順電圧
Source-DrainDiode ForwardVoltage
VSD
IS＝ 3A,VGS＝0V
熱抵抗
ThermalResistance
θjc 接合部・ケース間
Junctiontocase
ゲート全電荷量
TotalGateCharge
Qg VDD＝ 400V,VGS＝10V,ID＝ 6A
入力容量
InputCapacitance
Ciss
帰還容量
ReverseTransferCapacitance
Crss VDS＝ 50V,VGS＝0V,f＝1MHz
出力容量
OutputCapacitance
Coss
ターンオン遅延時間
Turn-ondelaytime
上昇時間
Risetime
ターンオフ遅延時間
Turn-offdelaytime
下降時間
Falltime
td（on）
tr
td（off）
ID＝ 3A,RL＝ 50Ω,
VDD＝150V,Rg＝ 50Ω,
VGS（＋） ＝ 10V,VGS（－） ＝ 0V
tf
Tc＝25℃/unlessotherwisespecified）
規格値 Ratings 単位
MIN TYP MAX Unit
525 ─
──
──
─
100
±10
V
μA
2 6─
S
─ 1.1 1.35
3.0 3.75 4.5
─ ─ 1.5
Ω
V
─ ─ 1.78 ℃/W
─ 15 ─ nC
─ 520 ─
─ 5.5 ─
─ 58 ─
pF
─ 15 ─
─ 20 ─ ns
─ 40 ─
─ 25 ─
（MOSFET〈2013.04〉）
www.shindengen.co.jp/product/semi/
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| P6B52HP2 | Power MOSFET ( Transistor ) | SHINDENGEN |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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