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Numéro de référence | ST02-30G1 | ||
Description | Power Zener Diode | ||
Fabricant | SHINDENGEN | ||
Logo | |||
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PowerZenerDiodeTVS(TransientVoltageSuppressor)
ST02-30G1
■外観図 OUTLINE
Package:G1F
Unit:mm
30V
特長
煙1Wクラス
煙小型 SMD
煙車載用途も対応可能
煙AEC-Q101準拠
Feature
煙1W Class
煙SmallSMD
煙Availableforautomotiveuse
煙BasedonAEC-Q101
Z 00
Z 00
外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourweb site.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings(指定のない場合 Tl=25℃/unlessotherwisespecified)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値
Ratings
単位
Unit
保存温度
StorageTemperature
接合部温度
OperationJunctionTemperature
せん頭サージ逆電流
Maximum SurgeReverseCurrent
せん頭サージ逆電力
Maximum SurgeReversePower
許容損失
PowerDissipation
連続印加電圧
Maximum ReverseVoltage
Tstg
Tj
IRSM
PRSM
P
10/1000μs非繰り返し
10/1000µsNon-repetitive
10/1000μs非繰り返し
10/1000µsNon-repetitive
VRM
-55~150
150
5
200
1
24
℃
℃
A
W
W
V
●電気的・熱的特性
動作開始電圧
BreakdownVoltage
制限電圧
ClampingVoltage
逆電流
ReverseCurrent
熱抵抗
ThermalResistance
ElectricalCharacteristics(指定のない場合 Tl=25℃/unlessotherwisespecified)
VBR IR=2mA
MIN 28.0
TYP 30.0
MAX 32.0
V
VCL 10/1000μs,IRSM=5.0A
MAX 40.0
V
IR
θjl
θja
VR=24V,
パルス測定
Pulsemeasurement
接合部・リード間,プリント基板実装
Junctiontolead,Onglass-epoxysubstrate
接合部・周囲間,プリント基板実装 160mm2
Junctiontoambient,Onglass-epoxysubstrate160mm2
MAX 5.0
MAX 20
MAX 120
μA
℃/W
(U180-p〈2016.02〉)
www.shindengen.co.jp/product/semi/
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No | Description détaillée | Fabricant |
ST02-30G1 | Power Zener Diode | SHINDENGEN |
US18650VTC5A | Lithium-Ion Battery | Sony |
TSPC106 | PCI Bus Bridge Memory Controller | ATMEL |
TP9380 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | Advanced Semiconductor |
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