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PDF MMBT9013 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza MMBT9013
Descripción NPN Silicon Epitaxial Planar Transistors
Fabricantes HORNBY　
Logotipo HORNBY Logotipo



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MMBT9013【NPN Transistors / 200mW / SOT-23】
NPN Silicon Epitaxial Planar Transistors
Features
◆ Switching and Amplifier applications
PACKAGE OUTLINE
Absolute Maximum Ratings【TA=25℃】
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Collector Emitter Voltage
Emitter Base Voltage
Collector Current
VCEO
VEBO
-----
30
5
Ic ----- 500
-----
-----
Power Dissipation
VCE=1V, IC=100mA MMBT9013G
DC Current Gain
VCE=1V, IC=100mA MMBT9013H
VCE=1V, IC=500mA
Collector Emitter Breakdown Voltage
IC=1mA
Collector Saturation Voltage
IC=500mA, IB=20mA
Base Saturation Voltage
IC=500mA, IB=20mA
Collector Cutoff Current
VCB = 31 V
Emitter Base Cutoff Current
VEB = 5.1 V
PD
hFE
V(BR)CEO
VCEsat
VBE sat
ICBO
IEBO
----- 200
-----
100 ----- 250
160 ----- 400
40 -----
30 -----
0.15
-----
1.2
----- 100
50
Base Emitter Voltage
VCE = 1 V, IC = 50 mA
VBE 0.6
0.75
Collector Base Capacitance
VCB=10V, f=1MHz
CCBO ----- 12
-----
Gain Bandwidth Product
VCE=5V, IC=10mA, f=50MHz
fT
----- 100
300
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RthA ----- 200
Junction Temperature
Tj 150
Storage Temperature Range
TS -55 to +150
Note: 1. Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Unit
V
mA
mW
-----
V
nA
V
pF
MHz
K/W
℃
1

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
MMBT90121W OUTPUT AMPLIFIER OF POTABLE RADIOSUnisonic Technologies
Unisonic Technologies
MMBT9012PNP Silicon Epitaxial Planar TransistorsSEMTECH
SEMTECH
MMBT9012SMD General Purpose TransistorTAITRON
TAITRON
MMBT90121W OUTPUT AMPLIFIERART CHIP
ART CHIP

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

 Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

 Analog Devices
Analog Devices


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