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3CG812 fiches techniques PDF

LZG - SILICON PNP TRANSISTOR

Numéro de référence 3CG812
Description SILICON PNP TRANSISTOR
Fabricant LZG 
Logo LZG 





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3CG812 fiche technique
2SA812(3CG812)
硅 PNP 半导体三极管/SILICON PNP TRANSISTOR
用途:用于音频放大/Purpose: Audio frequency amplifier application .
特点:与 2SC1623(3DG1623)互补/Features: Complementary pair with 2SC1623(3DG1623).
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号
数值
单位
Symbol
Rating
Unit
VCBO -60 V
VCEO -50 V
VEBO
-5.0
V
IC
-100
mA
PC 200 mW
Tj 150 ℃
Tstg -55~150 ℃
电性能参数/Electrical characteristics(Ta=25℃)
参数符号
Symbol
测试条件
Test condition
ICBO
IEBO
hFE
VCE(sat)
VBE
fT
Cob
VCB=-60V
VEB=-5.0V
VCE=-6.0V
IC=-100mA
VCE=-6.0V
VCE=-6.0V
VCB=-10V
IE=0
IC=0
IC=-1.0mA
IB=-10mA
IC=-1.0mA
IC=-10mA
IE=0 f=1.0MHz
最小值
Min
90
-0.58
数值
Rating
典型值
Typ
200
-0.18
-0.62
180
4.5
最大值
Max
-0.1
-0.1
600
-0.3
-0.68
单位
Unit
μA
μA
V
V
MHz
pF
hFE 分档、印章/hFE classifications、Marking:
hFE 分档
hFE Classifications
O
Y
hFE 范围
hFE Range
90~180
135~270
印章
Marking
HM4 HM5
G
200~400
M6H
L
300~600
HM7
http://www.lzg.so

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Fiche technique recommandé

No Description détaillée Fabricant
3CG812 SILICON PNP TRANSISTOR LZG
LZG

US18650VTC5A

Lithium-Ion Battery

Sony
Sony
TSPC106

PCI Bus Bridge Memory Controller

ATMEL
ATMEL
TP9380

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

Advanced Semiconductor
Advanced Semiconductor


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