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2SA1036K fiches techniques PDF

LZG - SILICON PNP TRANSISTOR

Numéro de référence 2SA1036K
Description SILICON PNP TRANSISTOR
Fabricant LZG 
Logo LZG 





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2SA1036K fiche technique
2SA1036K(3CG1036K)
硅 PNP 半导体三极管/SILICON PNP TRANSISTOR
用途:用于中功率放大。
Purpose: Medium power amplifier applications.
特点:集电极直流电流大,饱和压降低,与 2SC2411K(3DG2411K)互补。
Features: .Large Ic low Vce(sat),complementary pair with the 2SC2411K(3DG2411K).
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号
数值
单位
Symbol
Rating
Unit
VCBO -40 V
VCEO -32 V
VEBO
-5.0
V
IC
-500
mA
PC 200 mW
Tj 150 ℃
Tstg -55~150 ℃
电性能参数/Electrical characteristics(Ta=25℃)
数值
参数符号
测试条件
Rating
Symbol
Test condition
最小值 典型值
Min Typ
VCBO IC=-100μA
-40
VCEO IC=-1.0mA
-32
VEBO IE=-100μA
-5.0
ICBO VCB=-20V
IEBO VEB=-4.0V
hFE VCE=-3.0V
IC=-10mA
82
VCE(sat)
IC=-100mA
IB=-10mA
fT VCE=-5.0V IE=20mA f=100MHz
200
Cob
VCB=-10V IE=0
f=1.0MHz
hFE 分档、印章/hFE Classifications、Marking:
hFE 分档
hFE Classifications
P
hFE 范围
hFE Range
82~180
印章
Marking
HHP
7.0
Q
120~270
HHQ
最大值
Max
-1.0
-1.0
390
-0.4
单位
Unit
V
V
V
μA
μA
V
MHz
pF
R
180~390
HHR
http://www.lzg.so

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