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PDF BUZ104SL-4 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | BUZ104SL-4 | |
| Descripción | SIPMOS Power Transistor (Quad-channel Enhancement mode Logic level Avalanche-rated d v/d t rated) | |
| Fabricantes | Siemens Semiconductor Group | |
| Logotipo |  |
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SIPMOS ® Power Transistor
• Quad-channel
• Enhancement mode
• Logic level
• Avalanche-rated
• dv/dt rated
Preliminary data
BUZ 104SL-4
Type
VDS
BUZ 104SL-4 55 V
ID
3.2 A
RDS(on)
0.125 Ω
Package
P-DSO-28
Ordering Code
C67078-S. . . .- . .
Maximum Ratings
Parameter
Continuous drain current one channel active
TA = 25 °C
Pulsed drain current one channel active
TA = 25 °C
Avalanche energy, single pulse
ID = 3.2 A, VDD = 25 V, RGS = 25 Ω
L = 10.15 mH, Tj = 25 °C
Reverse diode dv/dt
IS = 3.2 A, VDS = 40 V, diF/dt = 200 A/µs
Tjmax = 175 °C
Gate source voltage
Power dissipation ,one channel active
TA = 25 °C
Operating temperature
Storage temperature
IEC climatic category, DIN IEC 68-1
Symbol
ID
IDpuls
EAS
dv/dt
VGS
Ptot
Tj
Tstg
Values
3.2
Unit
A
12.8
mJ
52
kV/µs
6
± 14
2.4
-55 ... + 175
-55 ... + 175
55 / 175 / 56
V
W
°C
Semiconductor Group
1
07/Oct/1997
1 page  
Preliminary data
BUZ 104SL-4
Power dissipation
Ptot = ƒ(T)
2.6
RthJAC
W
2.2
Ptot 2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
20 40 60 80 100 120 140 °C 180
T
Drain current
ID = ƒ(TC)
parameter: VGS ≥ 5 V
3.4
A
2.8
ID
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0.0
0 20 40 60 80 100 120 140 °C 180
TC
Semiconductor Group
5
07/Oct/1997
5 Page | ||
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| PDF Descargar | [ Datasheet BUZ104SL-4.PDF ] | |
Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| BUZ104SL-4 | SIPMOS Power Transistor (Quad-channel Enhancement mode Logic level Avalanche-rated d v/d t rated) | Siemens Semiconductor Group |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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