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PDF MG100Q1ZS50 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza MG100Q1ZS50
Descripción N CHANNEL IGBT (HIGH PWER SWITCHING / MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
Fabricantes Toshiba 
Logotipo Toshiba Logotipo



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No Preview Available ! MG100Q1ZS50 Hoja de datos, Descripción, Manual

TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT
MG100Q1ZS50
MG100Q1ZS50
High Power Switching Applications
Motor Control Applications
Unit: mm
l High input impedance
l High speed : tf = 0.3µs (Max)
@Inductive load
l Low saturation voltage
: VCE (sat) = 3.6V (Max)
l Enhancement-mode
l The electrodes are isolated from case.
Equivalent Circuit
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
JEDEC
EIAJ
TOSHIBA
Weight: 255g
Characteristic
Collector-emitter voltage
Gate-emitter voltage
Collector current
DC
1ms
Forward current
DC
1ms
Collector power dissipation (Tc = 25°C)
Junction temperature
Storage temperature range
Isolation voltage
Screw torque (Terminal / mounting)
Symbol
VCES
VGES
IC
(25°C / 80°C)
ICP
(25°C / 80°C)
IF
IFM
PC
Tj
Tstg
VIsol
Rating
1200
±20
150 / 100
300 / 200
100
200
660
150
40 ~ 125
2500
(AC 1 min.)
3/3
Unit
V
V
A
A
W
°C
°C
V
N·m
2-95A6A
1 2001-04-20

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MG100Q1ZS50 pdf
MG100Q1ZS50
5 2001-04-20

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
MG100Q1ZS50N CHANNEL IGBT (HIGH PWER SWITCHING / MOTOR CONTROL APPLICATIONS)Toshiba
Toshiba

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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