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PDF UBA1710M Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | UBA1710M | |
| Descripción | Modulator for GaAs power amplifiers | |
| Fabricantes | NXP Semiconductors | |
| Logotipo |  |
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INTEGRATED CIRCUITS
DATA SHEET
UBA1710M
Modulator for GaAs power
amplifiers
Product specification
Supersedes data of 1997 Feb 18
File under Integrated Circuits, IC17
1997 Oct 17
1 page  
Philips Semiconductors
Modulator for GaAs power amplifiers
Product specification
UBA1710M
CHARACTERISTICS
VCC = VDD = 4.8 V; Tamb = 25 °C; unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
Supplies
ICC + IDD
peak supply current
Istb standby current
Power MOS 1
RDSon1
on resistance
Power MOS 2
RDSon2
on resistance
Clock circuit
fclk clock frequency
Voltage tripler
VPo
VR(p-p)
output voltage
amplitude ripple
(peak-to-peak value)
ton turn-on time
Negative DC/DC converter
VNo
VR(p-p)
output voltage
amplitude ripple
(peak-to-peak value)
ton turn-on time
MOS buffer amplifier
VIL LOW level input voltage
VIH HIGH level input voltage
tsw switching time from 0 to 4.5 V
power-up mode; PA on
power-down mode; PA off
standby mode
IDS = 1.3 A
IDS = 0.4 A
with IPo = 2 mA
with IPo = 2 mA;
C1 = C2 = 100 nF; CP = 100 nF
with INo = 250 µA; Rext = 470 kΩ
with INo = 250 µA; C3 = 100 nF;
CN = 100 nF
2 Ω load at MOS outputs
MIN. TYP. MAX. UNIT
− 12 − mA
− 5 − mA
− 0.1 1 µA
− 0.18 − Ω
− 0.5 − Ω
− 600 − kHz
11.3 11.8 12.3 V
− 20 − mV
− 100 − µs
−1.5 −1.8 −2.0 V
− 2 − mV
− 280 − µs
− 1.2 − V
− 3.4 − V
− 1 − µs
1997 Oct 17
5
5 Page 
Philips Semiconductors
Modulator for GaAs power amplifiers
NOTES
Product specification
UBA1710M
1997 Oct 17
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| UBA1710M | Modulator for GaAs power amplifiers | NXP Semiconductors |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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