(PDF) BLV108 Datasheet - Vertical N-channel MOSFET

Número de pieza	BLV108
Descripción	Vertical N-channel MOSFET
Fabricantes	SHANGHAI BELLING
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No Preview Available ! www.DataSheet4U.com BLV108 N 沟纵向 MOSFET 描述: N 沟增强型 VDMOS，高速开关，无二次击穿产品应用：电话机电路继电器电路驱动电路等工作条件 (T=25℃) 符号参数 VDSS 漏源电压 VGSS 栅源电压 ID 漏电流 PD Tj, TSDG 热特性 Power Dissipation for Dual Operation 结温度和存储温度 Rth j-a Thermal Resistance, Junction to Ambient 极限值 200 + 20 300 1 -55 to +150 单位 V V mA W oC 125 K/W 电学特性 TA=25oC 符号参数 BVDSS 源漏击穿电压 I DSS 零栅压时的漏极电流 I GSS 栅和衬底之间的漏电流 VGS (th) 阈值电压 RDS (on) 导通电阻测试条件最小典型最大单位 VGS = 0V , I D = 10uA 200 V VDS = 160V ,VGS = 0V 1 uA VGS = ±20V ,VDS = 0V +100 nA VDS = VGS , I D = 1mA 0.4 1.8 V VGS = 2.8V , I D = 100mA 5Ω http://www.belling.com.cn -1- Total 2 Pages 8/18/2006 1 page

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Número de pieza	Descripción	Fabricantes
SLA6805M	High Voltage 3 phase Motor Driver IC.	Sanken
SDC1742	12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.	Analog Devices

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