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PDF CEB12P10 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | CEB12P10 | |
| Descripción | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | |
| Fabricantes | CET | |
| Logotipo |  |
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CEP12P10/CEB12P10
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FEATURES
-100V, -11A, RDS(ON) =315mΩ @VGS = -10V.
Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).
High power and current handing capability.
Lead free product is acquired.
TO-220 & TO-263 package.
D
D
G
S
CEB SERIES
TO-263(DD-PAK)
G
D
S
CEP SERIES
TO-220
G
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise noted
Parameter
Symbol
Limit
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current-Continuous
Drain Current-Pulsed a
Maximum Power Dissipation @ TC = 25 C
- Derate above 25 C
VDS
VGS
ID
IDM
PD
-100
±30
-11
-44
75
0.5
Operating and Store Temperature Range
TJ,Tstg
-55 to 175
Thermal Characteristics
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Symbol
RθJC
RθJA
Limit
2
62.5
Units
V
V
A
A
W
W/ C
C
Units
C/W
C/W
2005.August
http://www.cetsemi.com
1
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| CEB12P10 | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | CET |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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