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Numéro de référence | BLD128D | ||
Description | BLD Series Transistors | ||
Fabricant | SI Semiconductors | ||
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Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.
Product Specification
BLD 系列晶体管/ BLD SERIES TRANSISTORS
BLD128D
●特点: 耐压高 开关速度快 安全工作区宽 符合 RoHS 规范
■ ■ ■ ■●TURES: HIGH VOLTAGE CAPABILITY HIGH SPEED SWITCHING WIDE SOA RoHS COMPLIANT
●应用: 节能灯 电子镇流器 电子变压器 开关电源
■ ■●LICATION: FLUORESCENT LAMP
ELECTRONIC BALLAST
■SWITCH MODE POWER SUPPLY
■ELECTRONIC TRANSFORMER
● 最大额定值(Tc=25°C)
●Absolute Maximum Ratings(Tc=25°C)
参数
PARAMETER
符号
SYMBOL
额定值
VALUE
集电极-基极电压
Collector-Base Voltage
集电极-发射极电压
Collector-Emitter Voltage
发射极-基极电压
Emitter- Base Voltage
集电极电流
Collector Current
集电极耗散功率
Total Power Dissipation
最大工作温度
Junction Temperature
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj
700
400
9
5.0
70
150
贮存温度
Storage Temperature
Tstg -65-150
SOT-82
单位
UNIT
V
V
V
A
W
°C
°C
● 电特性(Tc=25°C)
●Electronic Characteristics(Tc=25°C)
参数名称
CHARACTERISTICS
集电极-基极截止电流
Collector-Base Cutoff Current
集电极-发射极截止电流
Collector-Emitter Cutoff Current
集电极-发射极电压
Collector-Emitter Voltage
发射极-基极电压
Emitter -Base Voltage
符号
SYMBOL
ICBO
ICEO
VCEO
VEBO
集电极-发射极饱和电压
Collector-Emitter Saturation Voltae
Vcesat
发射极-基极饱和电压
Base-Emitter Saturation Voltage
Vbesat
电流放大倍数
DC Current Gain
hFE
贮存时间
Storage Time
下降时间
Falling Time
内置二极管正向压降
Diode Forward Voltage
tS
tf
Vf
测试条件
TEST CONDITION
VCB=700V
VCE=400V,IB=0
IC=10mA,IB=0
IE=1mA,IC=0
IC=1.0A,IB=0.2A
IC=4.0A,IB=1.0A
IC=1.0A,IB=0.2A
VCE=5V,IC=10mA
VCE=5V,IC=1.0A
VCE=5V,IC=4.0A
VCC=5V,IC=0.5A
(UI9600)
IF=2.0A
最小值
MIN
400
9
7
10
5
1.5
最大值
MAX
100
250
0.5
1.5
1.5
40
4.0
0.8
1.5
单位
UNIT
µA
µA
V
V
V
V
µs
V
Si semiconductors 2007.01
1
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Pages | Pages 3 | ||
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No | Description détaillée | Fabricant |
BLD128D | BLD Series Transistors | SI Semiconductors |
BLD128DA | TRANSISTORS | SI Semiconductors |
US18650VTC5A | Lithium-Ion Battery | Sony |
TSPC106 | PCI Bus Bridge Memory Controller | ATMEL |
TP9380 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | Advanced Semiconductor |
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