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PDF SPI47N10L Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza SPI47N10L
Descripción SIPMOS Power-Transistor
Fabricantes Infineon Technologies 
Logotipo Infineon Technologies Logotipo



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No Preview Available ! SPI47N10L Hoja de datos, Descripción, Manual

Preliminary data
SPI47N10L
SPP47N10L,SPB47N10L
SIPMOS=Power-Transistor
Feature
 N-Channel
 Enhancement mode
 Logic Level
www.DataSheet4U1.7co5m°C operating temperature
P-TO262-3-1
 Avalanche rated
 dv/dt rated
Product Summary
VDS 100 V
RDS(on) 26 m
ID 47 A
P-TO263-3-2
P-TO220-3-1
Type
SPP47N10L
SPB47N10L
SPI47N10L
Package
P-TO220-3-1
P-TO263-3-2
P-TO262-3-1
Ordering Code
Q67040-S4177
Q67040-S4176
tbd
Marking
47N10L
47N10L
47N10L
Maximum Ratings,at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Continuous drain current
ID
TC=25°C
TC=100°C
Pulsed drain current
TC=25°C
Avalanche energy, single pulse
ID=47 A , VDD=25V, RGS=25
Avalanche energy, periodic limited by Tjmax
ID puls
EAS
EAR
Reverse diode dv/dt
dv/dt
IS=47A, VDS=0V, di/dt=200A/µs
Gate source voltage
VGS
Power dissipation
TC=25°C
Ptot
Operating and storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
Tj , Tstg
Page 1
Value
47
33
188
Unit
A
400 mJ
17.5
6
kV/µs
±20 V
175 W
-55... +175
55/175/56
°C
2001-08-24

1 page




SPI47N10L pdf
Preliminary data
SPI47N10L
SPP47N10L,SPB47N10L
5 Typ. output characteristic
ID = f (VDS); Tj=25°C
parameter: tp = 80 µs
120
SPP47N10L
Ptot = 175W
A
www.DataSheet4U.co1m00
90
80
70
60
50
40
30
20
l kj i h g
f
VGS [V]
a 2.5
b 3.0
c 3.5
ed
e
4.0
4.5
f 5.0
d g 5.5
h 6.0
i 6.5
cj
k
7.0
8.0
l 10.0
b
10
a
00 1 2 3 4 V 5.5
VDS
7 Typ. transfer characteristics
ID= f ( VGS ); VDS 2 x ID x RDS(on)max
parameter: tp = 80 µs
60
A
6 Typ. drain-source on resistance
RDS(on) = f (ID)
parameter: VGS
130 SPP47N10L
m b
c de
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20 VGS [V] =
10
bcdef
3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
ghi j
5.5 6.0 6.5 7.0
f
hlj
g
ki
kl
8.0 10.0
00 10 20 30 40 50 60 70 80 A 100
ID
8 Typ. forward transconductance
gfs = f(ID); Tj=25°C
parameter: gfs
60
S
50 50
45 45
40 40
35 35
30 30
25 25
20 20
15 15
10 10
55
00 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 V 5
VGS
00
10
20
30
40 A
55
ID
Page 5
2001-08-24

5 Page










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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
SPI47N10SIPMOS Power-TransistorInfineon Technologies
Infineon Technologies
SPI47N10LSIPMOS Power-TransistorInfineon Technologies
Infineon Technologies

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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