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PDF BTN3501E3 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | BTN3501E3 | |
| Descripción | High Speed Switching diode | |
| Fabricantes | Cystech Electonics | |
| Logotipo |  |
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CYStech Electronics Corp.
www.DataSheet4U.com
Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor
BTN3501E3
Spec. No. : C606E3
Issued Date : 2004.08.18
Revised Date :
Page No. : 1/4
Features
• Low VCE(sat)
• High BVCEO
• Excellent current gain characteristics
Symbol
BTN3501E3
Outline
TO-220AB
B：Base
C：Collector
E：Emitter
BCE
Absolute Maximum Ratings (Ta=25°C)
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current (DC)
Collector Current (Pulse)
Power Dissipation @ TA=25℃
Power Dissipation @ TC=25℃
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Thermal Resistance, Junction to Case
Junction Temperature
Storage Temperature
Note : 1. Single Pulse , Pw≦380µs,Duty≦2%.
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PD
PD
RθJA
RθJC
Tj
Tstg
BTN3501E3
Limits
80
80
6
10
20 (Note 1)
2
50
62.5
2.5
150
-55~+150
Unit
V
V
V
A
W
°C/W
°C/W
°C
°C
CYStek Product Specification
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| PDF Descargar | [ Datasheet BTN3501E3.PDF ] | |
Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| BTN3501E3 | High Speed Switching diode | Cystech Electonics |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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