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PDF K3161 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | K3161 | |
| Descripción | MOSFET ( Transistor ) - 2SK3161 | |
| Fabricantes | Renesas Technology | |
| Logotipo |  |
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2SK3161(L), 2SK3161(S)
www.DataSheet4U.com
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
Features
• Low on-resistance
RDS =90 mΩ typ.
• High speed switching
• 4 V gate drive device can be driven from 5 V source
Outline
REJ03G1086-0300
(Previous: ADE-208-734A)
Rev.3.00
Sep 07, 2005
RENESAS Package code: PRSS0004AE-A
(Package name: LDPAK(L))
4
RENESAS Package code: PRSS0004AE-B
(Package name: LDPAK(S)-(1))
D
4
G
12
3
123
S
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
Rev.3.00 Sep 07, 2005 page 1 of 8
1 page  
2SK3161
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
www.DataSh2e0et4U.com
16
10 V
12
Maximum Avalanche Energy vs.
Channel Temperature Derating
20
IAP = 15 A
16 VDD = 50 V
duty < 0.1 %
Rg > 50 Ω
12
8 VGS = 0, –5 V
4 5V
Pulse Test
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
Source to Drain Voltage VSD (V)
8
4
0
25 50 75 100 125 150
Channel Temperature Tch (°C)
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
3
1
D=1
Tc = 25°C
0.5
0.3
0.2
0.1 0.1
0.05
0.03
0.02
0.011shot
pulse
0.01
10 µ
100 µ
θch – c(t) = γ s (t) • θ ch – c
θch – c = 1.67°C/W, Tc = 25°C
PDM
PW
T
D=
PW
T
1m
10 m
100 m
Pulse Width PW (S)
1
10
Vin
15 V
Avalanche Test Circuit
VDS
Monitor
Rg
L
IAP
Monitor
D. U. T
VDD
50 Ω
Avalanche Waveform
EAR =
1
2
• L • IAP2 •
VDSS
VDSS – VDD
IAP
ID
V(BR)DSS
VDS
VDD
0
Rev.3.00 Sep 07, 2005 page 5 of 8
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| K3161 | MOSFET ( Transistor ) - 2SK3161 | Renesas Technology |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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