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PDF IDB30E60 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | IDB30E60 | |
| Descripción | Fast Switching Emitter Controlled Diode | |
| Fabricantes | Infineon Technologies | |
| Logotipo |  |
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FFaasstt SSwwiittcchhiinngg EEmmCittoenr DCioondterolled Diode
Feature
• 600VVEEmmitCteornCteocnhtrnoollleodgytechnology
• Fast recovery
• Soft switching
• Low reverse recovery charge
• Low forward voltage
• 175°C operating temperature
• Easy paralleling
IDB30E60
Product Summary
VRRM
IF
VF
Tjmax
600
30
1.5
175
V
A
V
°C
2
1
3
PG-TO263-3
* RoHS compliant
Type
IDB30E60
Package
PG-TO263-3
Ordering Code Marking Pin 1 PIN 2 PIN 3
-
D30E60 NC
C
A
Maximum Ratings, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
PPaararammetetrer
SymSybmobl ol
RReeppeteittiivteivpeepakearekverersveevrosletagveoltage
CCoonntintiunoouussfofrowrwaradrcdurcreunrrtent
TTCC==2255°CC
TTCC==9900°CC
SSuurgrgeenonnornepreetpitievteitfiovrewfaordrwcaurrrdencturrent
TC = 25C, tp = 10 ms, sine halfwave
MTCax=i2m5u°mC, rtepp=e1t0itimves,fosrinwearhdalcfwurarveent
TMC a=x2im5uCm, tprleimpietetditibvyetjf,moarxw, Dar=d0c.5urrent
PToCw=e2r5d°Cis,stippalitmiointed by Tjmax, D=0.5
TPCo=w2e5rCdissipation
TTCC==2950°CC
OTpCe=r9a0ti°nCg junction temperature
SOtopreagraettienmgpaenradtusrteorage temperature
SSooldldereinrigntgemtepmerpaeturraeture
1r.e6flmowms(o0l.d0e6r3inign,.)MfrSoLm1 case for 10 s
VRRVMR R M
IF
IF
IFSMI F S M
IFRMI F R M
PtotPt o t
Tj
Tj , TTssttgg
TS TS
Rev.2.4
Page 1
VaVlauleue
606000
525.23.3
343.49.9
111717
8181
UUnint it
VV
A
A
A
A
142.9
14280.9.9
-8400….9+175
-55-5..5.+...1+71550
262060
WW
°C°C
°C
22001039-1-02-30-504
1 page  
5 Typ. reverse recovery time
trr = f (diF/dt)
parameter: VR = 400V, Tj = 125°C
500
ns
400
60A
350 30A
15A
300
250
IDB30E60
6 Typ. reverse recovery charge
Qrr=f(diF/dt)
parameter: VR = 400V, Tj = 125 °C
2600
nC
2200
60A
2000
1800
30A
1600
200 1400
15A
150 1200
100
200 300 400 500 600 700 800 A/µs 1000
diF/dt
7 Typ. reverse recovery current
Irr = f (diF/dt)
parameter: VR = 400V, Tj = 125°C
26
A
1000
200 300 400 500 600 700 800 A/µs 1000
diF/dt
8 Typ. reverse recovery softness factor
S = f(diF/dt)
parameter: VR = 400V, Tj = 125°C
12
22
20 60A
30A
15A
18
16
14
12
10
8
10
9 60A
30A
15A
8
7
6
5
4
6
200 300 400 500 600 700 800 A/µs 1000
diF/dt
3
200 300 400 500 600 700 800 A/µs 1000
diF/dt
Rev.2.4
Page 5
2001039-1-023-0-504
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| IDB30E60 | Fast Switching Emitter Controlled Diode | Infineon Technologies |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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