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Número de pieza | HK1235 | |
Descripción | HK1235 | |
Fabricantes | ETC | |
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No Preview Available ! HK1235 使用说明书
一. 引脚 排列
PIN 排列
A14 1
A1 2
28
27
A3
26
A4
25
A5
24
A6
23
A7
22
A8
21
A9
20
A 10
19
DQ 11
18
DQ 12
17
DQ 13
16
GN 14
15
Vcc
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
PIN 描述
A0-A14 -Address input
CE -Chip Enable(Low Enable)
GND -Ground
DQ0- -Data In/Out
Vcc -Power (+5V)
WE -WriteEnable(LowEnable)
OE -OutputEnable(LowEnable)
NC -No Connect
二. 读取 模式
HK1235 在 WE(写使能)被禁止(high)且 CE(片选)被选中(Low)并
且 OE(读信号)被使能(Low)执行一次读循环。15 个地址输入线(A0-A14)
指定的唯一的地址定义将要被访问。最后输入信号稳定后 8 位数据输出驱动
器将在 tACC 时序内得到有效数据。
三、写模式
地址输入稳定后,HK1235 在 WE 和 CE 信号处于激活(低电平)状态为
写 模式。最后出现的 CE 或 WE 下降沿将决定写循环的开始,写循环
终止于 CE 或 WE 前边的上升边沿。在写循环内所有地址输入必须保持
有效。在下 一个循环能被初始化前,WE 写信号必须将高电平保持最少记
录时间(tWR). 写循环期间 OE 控制信号应当保持失效(高电平),避免总线
冲突,如果输 出总线已经有效(CE 和 OE 激活),则写信号可以在 tODW
时序内从下降边 沿开始禁止输出。
四、数据保存模式
HK1235 为 Vcc 提供全部功能,当 VCC 大于 4.5 伏或 4.75 伏,写保护为
4.35
伏或 4.75 伏。当 Vcc 掉电时保存数 据,没有 任何附加 支持电 路的
需 要。 HK1235 通常监视 Vcc。如果电源电压降低,RAM 自动写保护
其本身。所 有对 RAM 的输入变为“不接收”,所有输出为高电阻。当 Vcc
降低到大约3.0 伏时,电源转换电路将用锂电源向 RAM 供电保存数据。
电压升高时, 当 Vcc 升高到大约 3.0 伏时,电压转换电路将外部 Vcc
与 RAM 连接。正常 RAM 操作在 Vcc 超过 4.5 伏或 4.75 伏后能够重
新开始。
五、出厂状态及运输
HK1235 从半导体出厂均保证满电量。运输及使用中的重力加速度不应 超出 1.5G 否
则影响寿命。
Free Datasheet http://www.datasheet.in/
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Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
HK1235 | HK1235 | ETC |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
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