|
|
PDF CS10N60 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | CS10N60 | |
| Descripción | VDMOS Transistor | |
| Fabricantes | ETC | |
| Logotipo |  |
|
Hay una vista previa y un enlace de descarga de CS10N60 (archivo pdf) en la parte inferior de esta página. Total 2 Páginas | ||
|
No Preview Available !
华晶分立器件
CS10N60
CS10N60 型 VDMOS 晶体管
1. 概述与特点
CS10N60 型 VDMOS 晶体管，主要用于线性放大、功率开关。其特点如下：
● 开关速度快
● 可并联使用
● 驱动简单
● 封装形式：TO-220AB
2. 电特性
2.1 极限值
除非另有规定，Tamb= 25℃
10.7max
4.8max
1.4max
φ3.84
参数名称
连续漏极电流
栅源电压
雪崩电流
热阻（结到壳）
耗散功率 Ta=25℃
Tc=25℃
结温
贮存温度
符号
ID
VGS
IAR
RθJC
Ptot
Tj
Tstg
额定值
10
±30
10
0.8
1.5
156
150
-55～150
单位
A
V
A
℃/W
W
℃
℃
1.27
1.2max
2.54
2.54
GDS
2.67
0.4max
2.2 电参数
除非另有规定，Tamb= 25℃
参数名称
符号
测试条件
漏源反向电压
通态电阻
阈值电压
跨导
漏源漏电流
栅源漏电流
关断延迟时间
VDS
rDSON
VGS(TO)
y21S
IDSS
VGSS
td(off)
输入电容
C11SS
a:脉冲测试 tp≤300μs,δ≤2%
VGS=0V, ID=250 uA
VGS=10V, ID=6A
VDS= VGS, ID=250uA
VDS= 40V, ID=6A
VDS=600V ,VGS=0V
VGS=±30V
VDD=300V,ID=9.5A
RG=20Ω
VGS=0V, VDS=25V
f=1.0MHz
规范值
最小
典
型
最大
600
1.2
35
8
20
±100
300
2040
单位
V
Ω
V
S
μA
nA
ns
pF
第1页共2页
Free Datasheet http://www.datasheet-pdf.com/
1 page | ||
| Páginas | Total 2 Páginas | |
| PDF Descargar | [ Datasheet CS10N60.PDF ] | |
Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| CS10N60 | VDMOS Transistor | ETC |
| CS10N60A8HD | Silicon N-Channel Power MOSFET |  Huajing Microelectronics |
| CS10N60A8R | Silicon N-Channel Power MOSFET | Huajing Microelectronics |
| CS10N60F | N-CHANNEL MOSFET |  BLUE ROCKET ELECTRONICS |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
|
DataSheet.es es una pagina web que funciona como un repositorio de manuales o hoja de datos de muchos de los productos más populares, |
| DataSheet.es | 2020 | Privacy Policy | Contacto | Buscar |