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65DN06 Datasheet دیتاشیت PDF دانلود

دیتاشیت - Infineon - Rectifier Diode

شماره قطعه 65DN06
شرح مفصل Rectifier Diode
تولید کننده Infineon 
آرم Infineon 





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65DN06 شرح
N Datenblatt / Data sheet
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
65DN06
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
PerKiodeisncnhedaStpeitznensperrspannung
Tvj = -40°C... Tvj max
repetitive peak reverse voltages
Elektrische EigenschaftenDurchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
TC = 129 °C
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlaßkennlinie 4000 A iF 40000 A
on-state characteristic
v F = A + B iF + C ln ( iF + 1 ) + D
Sperrstrom
reverse current
iF
Tvj = Tvj max , iF = 10 kA
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max , vR = VRRM
VRRM
IFRMSM
IFAVM
IFSM
I²t
600 V
13300 A
8470 A
103000 A
95000 A
53000 10³A²s
45000 10³A²s
vF
V(TO)
rT
A=
B=
C=
D=
iR
max.
0,98 V
0,7 V
0,027 m
2,460E-01
1,982E-05
6,119E-02
-3,675E-04
max.
100 mA
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
Kühlfläche / cooling surface
Thermische Eigenschaftenthermal resistance, junction to case
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Übergangs-Wärmewiderstand
Kühlfläche / cooling surface
thermal resistance, case to heatsink
beidseitig / two-sided
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
RthJC
RthCH
Tvj max
Tc op
Tstg
max. 0,0047 °C/W
max. 0,0040 °C/W
max. 0,0025 °C/W
180 °C
-40...+180 °C
-40...+180 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft
clamping force
Gewicht
weight
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
Seite 2
page 2
F 55...80 kN
G typ. 155 g
50 m/s²
prepared by: H.Sandmann
approved by: M.Leifeld
date of publication: 2011-02-17
revision:
3.0
IFBIP D AEC / 2011-02-17, H.Sandmann A 06/11
Seite/page
1/7
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قانون اساسیصفحه 7
دانلود [ 65DN06 دیتاشیت ]




دیتاشیت توصیه

شماره قطعه شرح مفصل تولید کنندگان
65DN02 (65DN02 - 65DN06) Rectifier Diode eupec
eupec
65DN03 (65DN02 - 65DN06) Rectifier Diode eupec
eupec
65DN04 (65DN02 - 65DN06) Rectifier Diode eupec
eupec
65DN05 (65DN02 - 65DN06) Rectifier Diode eupec
eupec

US18650VTC5A

Lithium-Ion Battery

Sony
Sony
TSPC106

PCI Bus Bridge Memory Controller

ATMEL
ATMEL
TP9380

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

Advanced Semiconductor
Advanced Semiconductor


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