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Numéro de référence | KK1000 | ||
Description | Power Thyristor | ||
Fabricant | RAE | ||
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RAE
润奥电子(扬州)制造有限公司
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KK1000功率晶闸管
1200 - 2000 VDRM; 1000 A avg
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用于逆变的大功率快速晶闸管
CASE 4T
特点:
. 全扩散结构
. 渐开线放大门极结构
. 阻断电压至 2000 volts
. 高容量dV/dt
. 全压接式
电特性和额定值
断态特性
阻断电压
VRRM (1) VDRM (1)
1200
1200
1200
1400
1400
1400
1600
1600
1600
1800
1800
1800
2000
2000
2000
VRRM = 反向重复峰值电压
VDRM =正向重复峰值电压
VRSM = 反向不重复峰值电压(2)
正向和反向重复峰值电流
IRRM / IDRM
电压上升率额定值
dV/dt (4)
VRSM (1)
1325
1525
1750
2000
2200
10 mA
60 mA (3)
500 V/sec
注
(1) 50Hz/60zHz正弦波,温度范围 -40 to +115 oC.
(2) 10 msec.脉宽
(3) Tj = 115 oC.
(4)67 %额定电压VDRM门极开路 . Tj = 115 oC.
(5) 不重复值
(6)此电流上升率 di/dt 根据EIA/NIMA 标准RS-
397, Section5-2-2-6.定义及条件
通态特性
参
通态平均电流
数
通态电流方均根值
不重复浪涌电流
I2t值
擎住电流
维持电流
峰值通态压降
电流上升率 (5, 6)
电流上升率(6)
符号
IT(AV)
ITRMS
最小值
ITSM
I2t
IL
IH
VTM
di/dt
di/dt
最大值
1000
1570
14000
980000
200
200
2.9
800
400
典型值. 单位
条件
A SINE,180o 导通角Tc=55oC
A
A
10 msec (50Hz), 正弦波形, 180o导
通角, Tj = 125 oC
A2s 10 msec
mA VD = 24 V; RL= 12 ohms
mA VD = 24 V; I = 2.5 A
2.0 V ITM =3000 A; Tj = 25 oC
不重复
A/s
重复
A/s
http://www.Datasheet4U.com
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No | Description détaillée | Fabricant |
KK100-6 | Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers | KODENSHI KOREA |
KK1000 | Power Thyristor | RAE |
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TSPC106 | PCI Bus Bridge Memory Controller | ATMEL |
TP9380 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | Advanced Semiconductor |
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