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GT10G101 fiches techniques PDF

Toshiba - SIlicon N-Channel MOS Type

Numéro de référence GT10G101
Description SIlicon N-Channel MOS Type
Fabricant Toshiba 
Logo Toshiba 





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GT10G101 fiche technique
東芝伝導度変調形電界効果トランジスタ シリコンチャネル IGBT
GT10G101
GT10G101
直列式自動調光ストロボ用
取扱いが簡単なエンハンスメントタイプです。
飽和電圧が低い。
: VCE (sat) = 8V (最大) (IC = 130A)
ゲート駆動電圧が低い。 : VGE = 20V (標準) (IC = 130A)
単位: mm
最大定格 (Ta = 25°C)
項目
記号
コレクタ・エミッタ間電圧
ゲート・エミッタ間電圧
コレクタ電流
DC
1ms
Ta = 25°C
コレクタ損失
Tc = 25°C
接合温度
保存温度
締付けトルク
VCES
VGES
IC
ICP
PC
PC
Tj
Tstg
定格
単位
400
±25
10
130
2.0
30
150
55150
0.6
V
V
A
W
°C
°C
Nm
電気的特性 (Ta = 25°C)
JEDEC
EIAJ
東芝
2-10R1C
項目
記号
測定条件
ゲート漏れ電流
コレクタしゃ断電流
ゲート・エミッタ間しゃ断電圧
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
入力容量
上昇時間
ス イ ッ チ ン グ ターンオン時間
時 間下 降 時 間
ターンオフ時間
熱抵抗
IGES
ICES
VGE (OFF)
VCE (sat)
Cies
tr
ton
tf
toff
Rth (j-c)
VGE = ±25V, VCE = 0
VCE = 400V, VGE = 0
IC = 1mA, VCE = 5V
IC = 130A,
VGE = 20V (パルス)
VCE = 10V, VGE = 0, f = 1MHz
最小 標準 最大 単位
― ― ±100 nA
― ― 10 μA
457V
5 8 V
1350
pF
0.1 0.5
0.15 0.5
μs
4.0 6.0
4.5 7.0
― ― 4.16 °C / W
000629TAA1
当社は品質、信頼性の向上に努めておりますが、一般に半導体製品は誤作動したり故障することがあります。当社半導体製品をご
使用いただく場合は、半導体製品の誤作動や故障により、生命・身体・財産が侵害されることのないように、購入者側の責任におい
て、機器の安全設計を行うことをお願いします。
なお、設計に際しては、最新の製品仕様をご確認の上、製品保証範囲内でご使用いただくと共に、考慮されるべき注意事項や条件
について「東芝半導体製品の取り扱い上のご注意とお願い」、「半導体信頼性ハンドブック」などでご確認ください。
本資料に掲載されている製品は、一般的電子機器 (コンピュータ、パーソナル機器、事務機器、計測機器、産業用ロボット、家電機
器など) に使用されることを意図しています。特別に高い品質・信頼性が要求され、その故障や誤作動が直接人命を脅かしたり人体
に危害を及ぼす恐れのある機器 (原子力制御機器、航空宇宙機器、輸送機器、交通信号機器、燃焼制御、医療機器、各種安全装置な
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掲載されている製品を当該特定用途に使用することは、お客様の責任でなされることとなります。
本資料に掲載されている技術情報は、製品の代表的動作・応用を説明するためのもので、その使用に際して当社および第三者の知的
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本資料の掲載内容は、技術の進歩などにより予告なしに変更されることがあります。
2001-01-31 1/3

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