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Número de pieza | SI2302 | |
Descripción | 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET | |
Fabricantes | VTR | |
Logotipo | ||
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RDS(ON), Vgs@ 4.5V, Ids@
RDS(ON), Vgs@ 2.5V, Ids@ 2.0A
85m Ω
115mΩ
Features
Advanced trench process technology
High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance
Package Dimensions
SOT-23
SI2302
D
GS
Maximum Ratings and Thermal Characteristics (TA = 25oC unless otherwise noted)
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current 1)
Maximum Power Dissipation 2)
Operating Junction and Storage Temperature Range
Junction-to-Ambient Thermal Resistance (PCB mounted) 2)
Junction-to-Ambient Thermal Resistance (PCB mounted) 3)
TA = 25o
TA = 75oC
Symbol
VDS
VGS
ID
IDM
PD
TJ, Tstg
Limit
20
±8
2.3
8
1.25
0.8
-55 to 150
100
166
1)
2)
3)
Unit
V
A
W
oC
oC/W
www.vtr.so
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PDF Descargar | [ Datasheet SI2302.PDF ] |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SI2300DS | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET | Vishay Siliconix |
SI2301 | P-Channel Enhancement Mode MOSFET | JinYu |
SI2301 | P-Channel 20-V(D-S) MOSFET | YANGJING |
SI2301 | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | MCC |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
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