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PDF STS8235 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza STS8235
Descripción Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Fabricantes SamHop 
Logotipo SamHop Logotipo



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STS8235
Sa mHop Microelectronics C orp.
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Ver 1.0
PRODUCT SUMMARY
VDSS
ID RDS(ON) (m) Max
36 @ VGS=4.5V
30V 4.5A
46 @ VGS=2.5V
F E AT UR E S
S uper high dense cell design for low R DS(ON).
R ugged and reliable.
S urface Mount P ackage.
E S D P rotected.
S1
D1/D2
S2
S OT 26
Top View
16
25
34
G1
D1/D2
G2
D1
G1 G2
S1
D2
S2
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25°C unless otherwise noted)
Symbol Parameter
VDS Drain-Source Voltage
VGS Gate-Source Voltage
ID Drain Current-Continuous a
IDM -Pulsed b
TA=25°C
TA=70°C
PD
Maximum Power Dissipation a
TA=25°C
TA=70°C
TJ, TSTG
Operating Junction and Storage
Temperature Range
THERMAL CHARACTERISTICS
R JA
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient a
Limit
30
±10
4.5
3.6
18
1.25
0.8
-55 to 150
100
Units
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C/W
Details are subject to change without notice.
1
Aug,14,2008
www.samhop.com.tw

1 page




STS8235 pdf
STS8235
V DD
RL
V IN
D VOUT
VG S
RGEN G
S
Figure 13. Switching Test Circuit
Ver 1.0
td(on)
VOUT
ton
tr
td(off)
90%
10% INVE R TE D
toff
tf
90%
10%
VIN
10%
90%
50% 50%
PULS E WIDTH
Figure 14. Switching Waveforms
10
1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.01
0.02
0.01
0.00001
Single Pulse
P DM
t1
t2
1. R thJA (t)=r (t) * R thJA
2. R thJA=S ee Datas heet
3. T J M-T A = P DM* R thJ A (t)
4. Duty C ycle, D=t1/t2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Square Wave Pulse Duration(sec)
Figure 15. Normalized Thermal Transient Impedance Curve
100
1000
Aug,14,2008
5 www.samhop.com.tw

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
STS8235Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorSamHop
SamHop

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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