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PDF EG1181 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EG1181
Descripción Power MOS tube / IGBT gate driver chip
Fabricantes EGmicro 
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EG3012芯片数据手册
大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片
2012 ©上海屹晶微电子有限公司 版权所有
REV 1.0

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EG1181 pdf
屹晶微电子有限公司
4. 引脚
4.1. 引脚定义
VB
HO VS
EG3012 芯片数据手册 V1.0
大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动芯片
LO
87 6 5
EG3012
1 2 34
Vcc HIN LIN GND
4-1. EG3012 管脚定义
4.2. 引脚描述
引脚序号 引脚名称
1 Vcc
2 HIN
3 LIN
4 GND
5 LO
6 VS
7 HO
8 VB
I/O
Power
I
I
GND
O
O
O
Power
描述
芯片工作电源输入端,推荐工作电压典型值为 12V-15V,外接一个高
0.1uF 旁路电容能降低芯片输入端的高频噪声
逻辑输入控制信号高电平有效,控制高端功率 MOS 管的导通与截
0”是关闭功率 MOS
1”是开启功率 MOS
逻辑输入控制信号低电平有效,控制低端功率 MOS 管的导通与截
0”是关闭功率 MOS
1”是开启功率 MOS
芯片的地端。
输出控制低端 MOS 功率管的导通与截止
高端悬浮地端
输出控制高端 MOS 功率管的导通与截止
高端悬浮电源
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EG1181 arduino
屹晶微电子有限公司
8. 应用设计
EG3012 芯片数据手册 V1.0
大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动芯片
8.1 Vcc 端电源电压
在考虑有足够的驱动电压去驱动 N 沟道功率 MOS 管,推荐电源 Vcc 工作电压典型值为 12V-15V,内部逻
辑电路的电源和模拟电平转换电路的电源共用 Vcc 电源,内部的逻辑地和模拟地也连接到一起。
8.2 输入逻辑信号要求和输出驱动器特性
EG3012 主要功能有逻辑信号输入处理、死区时间控制、欠压关断电路、电平转换功能、悬浮自举电源
结构和上下桥图腾柱式输出。逻辑信号输入端高电平阀值为 2.5V 以上,低电平阀值为 1.0V 以下,要求逻
辑信号的输出电流小,可以使 MCU 输出逻辑信号直接连接到 EG3012 的输入通道上。
高端上桥臂和低端下桥臂图腾柱式输出驱动器的最大灌入可达 1A 和最大输出电流可达 0.8A, 高端上桥
臂通道可以承受 100V 的电压,输入逻辑信号与输出控制信号之间的传导延时小,低端输出开通传导延时为
500nS、关断传导延时为 50nS,高端输出开通传导延时为 300nS、关断传导延时为 400nS。低端输出开通的上
升时间为 400nS、关断的下降时间为 200nS, 高端输出开通的上升时间为 400nS、关断的下降时间为 200nS
输入信号和输出信号逻辑功能图如图 8-2
1
HIN
0
0
1
LIN 0 0
1 11 1
00
00
11
1
1
00
00
1 11
HO
0
0
0 00
0
00
11
1
LO
00
0 00000
8-2. 输入信号和输出信号逻辑功能图
输入信号和输出信号逻辑真值表:
输入
输出
HIN(引脚 4
输入、输出逻辑
LIN(引脚 3HO(引脚 7
LO(引脚 5
0 00
0
0 10
1
1 01
0
1 10
0
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Número de piezaDescripciónFabricantes
EG1181Power MOS tube / IGBT gate driver chipEGmicro
EGmicro
EG118148V battery powered systems step-down switching power chipEGmicro
EGmicro
EG118248V battery powered systems step-down switching power chipEGmicro
EGmicro

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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