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PDF BLD135D Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | BLD135D | |
| Descripción | NPN Transistor | |
| Fabricantes | Shenzhen SI Semiconductors | |
| Logotipo |  |
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深圳深爱半导体股份有限公司
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.
产品规格书
Product Specification
NPN D 系列晶体管/ D SERIES TRANSISTORS
BLD135D
●特点: 耐压高 开关速度快 安全工作区宽 符合 RoHS 规范
■ ■ ■ ■●FEATURES： HIGH VOLTAGE CAPABILITY HIGH SPEED SWITCHING WIDE SOA RoHS COMPLIANT
●应用: 节能灯 电子镇流器 电子变压器 开关电源
■ ■ ■●APPLICATION: FLUORESCENT LAMP
ELECTRONIC BALLAST
ELECTRONIC TRANSFORMER
■SWITCH MODE POWER SUPPLY
●最大额定值（Tc=25°C）
●Absolute Maximum Ratings（Tc=25°C） TO-126/126S/220/220S
参数
符号
额定值
单位
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNTI
集电极-基极电压
Collector-Base Voltage
VCBO
700 V
集电极-发射极电压
Collector-Emitter Voltage
VCEO
400 V
发射极-基极电压
Emitter- Base Voltage
集电极电流
Collector Current
VEBO
IC
9V
3.5 A
集电极耗散功率
TO-126/126S:50
Total Power Dissipation Ptot TO-220/220S:55 W
最高工作温度
Junction Temperature
Tj
150 °C
贮存温度
Storage Temperature
Tstg
-65-150
●电特性（Tc=25°C）
●Electronic Characteristics（Tc=25°C）
°C
参数名称
符号
测试条件
最小值
最大值
单位
ChARACTERISTICS
集电极-基极截止电流
Collector-Base Cutoff Current
SYMBOL
ICBO
TEST CONDITION
VCB=700V
MIN
MAX
100
UNIT
μA
集电极-发射极截止电流
Collector-Emitter Cutoff Current
ICEO
VCE=400V,IB=0
250 μA
集电极-基极电压
Collector-Base Voltage
集电极-发射极电压
Collector-Emitter Voltage
VCBO
VCEO
IC=1mA,IE=0
IC=10mA,IB=0
700
400
V
V
发射极-基极电压
Emitter -Base Voltage
VEBO
IE=1mA,IC=0
9
V
集电极-发射极饱和电压
Collector-Emitter Saturation Voltage
Vcesat
IC=0.8A,IB=0.2A
IC=3A,IB=0.6A
0.3
V
1.2
发射极-基极饱和电压
Base-Emitter Saturation Voltage
Vbesat
IC=3A,IB=0.6A
1.2 V
电流放大倍数
DC Current Gain
VCE=5V,IC=1mA
hFE VCE=5V,IC=0.2A
VCE=5V,IC=3.5A
7
10
5
40
贮存时间/Storage Time
下降时间/Falling Time
tS
VCC=5V,IC=0.5A,
2.0
tf (UI9600)
4.0
0.8
µs
内置二极管正向压降
Diode Forward Voltage
VF
IF=1.8A
2.0 V
●订单信息/ORDERING INFORMATION:
包装形式/PACKING
订货编码/ORDERING CODE
普通塑封料/ Normal Package Material 无卤塑封料/Halogen Free
TO-126 普通袋装/NORMAL PACKING
BLD135D TO-126
BLD135D TO-126-HF
TO-126S 普通袋装/NORMAL PACKING
BLD135D TO-126S
BLD135D TO-126S-HF
TO-220 普通袋装/NORMAL PACKING
BLD135D TO-220
BLD135D TO-220-HF
TO-220S 普通袋装/NORMAL PACKING
BLD135D TO-220S
BLD135D TO-220S-HF
TO-220 条管装/TUBE PACKING
BLD135D TO-220-TU
BLD135D TO-220-TU-HF
1
Si semiconductors 2013.12
1 page  
深圳深爱半导体股份有限公司
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.
产品规格书
Product Specification
符号
SYMBOL
A
B
B1
b1
c
D
D1
最小值
min
4.00
1.20
1.00
0.65
0.35
15.00
5.90
TO-220 封装机械尺寸
TO-220 MECHANICAL DATA
典型值
nom
最大值
max
4.80
1.50
1.40
1.00
0.75
16.50
6.90
符号
SYMBOL
E
e
F
L
L1
Q
Q1
φP
最小值
min
9.90
1.10
12.50
3.00
2.50
2.00
3.60
单位：毫米/UNIT：mm
典型值
最大值
nom
max
10.70
2.54
1.45
14.50
3.50 4.00
3.00
3.00
3.90
Si semiconductors 2013.12
5
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| BLD135D | NPN Transistor | Shenzhen SI Semiconductors |
| BLD135DH | TRANSISTORS |  SI Semiconductors |
| BLD135DL | TRANSISTORS | SI Semiconductors |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
|
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