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PDF FQP12N65 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | FQP12N65 | |
| Descripción | N-Channel MOSFET | |
| Fabricantes | TOBA | |
| Logotipo |  |
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极限参数(除非特殊说明，TC=25°C)
参数名称
漏源电压
栅源电压
漏极电流
漏极脉冲电流
TC=25°C
TC=100°C
耗散功率（TC=25°C）
- 大于 25°C 每摄氏度减少
单脉冲雪崩能量（注 1）
工作结温范围
贮存温度范围
符号
VDS
VGS
ID
IDM
PD
EAS
TJ
Tstg
参数范围
SVD12N65T
SVD12N65F
650
±30
12
7.6
48
225 51
1.8 0.41
1074
-55～+150
-55～+150
热阻特性
参数名称
芯片对管壳热阻
芯片对环境的热阻
符号
RθJC
RθJA
参数范围
SVD12N65T
SVD12N65F
0.56 2.44
62.5 120
电性参数(除非特殊说明，TC=25°C)
参数
漏源击穿电压
漏源漏电流
栅源漏电流
栅极开启电压
导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
栅极电荷量
栅极-源极电荷量
栅极-漏极电荷量
符号
BBVDSS
IDSS
IGSS
VGS(th)
RDS(on)
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
测试条件
VGS=0V，ID=250µA
VDS=650V，VGS=0V
VGS=±30V，VDS=0V
VGS=VDS，ID=250µA
VGS=10V，ID=6.0A
VDS=25V，VGS=0V，
f=1.0MHz
VDD=325V，ID=12A，
RG=25Ω
(注 2，3)
VDS=520V，ID=12A，
VGS=10V
(注 2，3)
最小值
650
--
--
2.0
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
典型值
--
--
--
--
0.64
1830
155
2
50
49
310
54
51.7
9.6
18.6
最大值
--
1.0
±100
4.0
0.8
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
单位
V
V
A
A
W
W/°C
mJ
°C
°C
单位
°C/W
°C/W
单位
V
µA
nA
V
Ω
pF
ns
nC
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| FQP12N60 | 600V N-Channel MOSFET |  Fairchild Semiconductor |
| FQP12N60C | FQP12N60C/FQPF12N60C | Fairchild Semiconductor |
| FQP12N65 | 12A N-Channel MOSFET |  Oucan Semi |
| FQP12N65 | N-Channel MOSFET | TOBA |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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