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Numéro de référence | HZ11B3 | ||
Description | Silicon Planar Zener Diodes | ||
Fabricant | Diotec | ||
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HZ2A1 ... HZ36-3 (500 mW)
Version 2012-11-19
Ø 1.9±0.1
Ø max 0.5
Dimensions - Maße [mm]
HZ2A1 ... HZ36-3 (500 mW)
Silicon Planar Zener Diodes
Silizium-Planar-Zener-Dioden
Maximum power dissipation
Maximale Verlustleistung
Nominal Z-voltage
Nominale Z-Spannung
Glass case
Glasgehäuse
Weight approx.
Gewicht ca.
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
500 mW
1.6...38 V
~ DO-35
~ (SOD-27)
0.13 g
All of these special type zener diodes are available only on request.
Alle Typen dieser speziellen Zenerdioden sind nur auf Anfrage erhältlich.
Maximum ratings and Characteristics
Grenz- und Kennwerte
ZPD-series
Power dissipation
Verlustleistung
TA = 25°C
Ptot
500 mW 1)
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj -50...+175°C
TS -50...+175°C
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA < 300 K/W 1)
Thermal resistance junction to lead
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht
RthL < 240 K/W
Zener voltages see table on next page – Zener-Spannungen siehe Tabelle auf der nächsten Seite
2
1 Valid, if leads are kept at ambient temperatere at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2 Tested with pulses – Gemessen mit Impulsen
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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Pages | Pages 4 | ||
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No | Description détaillée | Fabricant |
HZ11B1 | Silicon Epitaxial Planar Zener Diode | Renesas |
HZ11B1 | SILICON EPITAXIAL PLANER ZENER DIODES | SEMTECH |
HZ11B1 | Silicon Planar Zener Diodes | Diotec |
HZ11B2 | Silicon Epitaxial Planar Zener Diode | Renesas |
US18650VTC5A | Lithium-Ion Battery | Sony |
TSPC106 | PCI Bus Bridge Memory Controller | ATMEL |
TP9380 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | Advanced Semiconductor |
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