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Numéro de référence | FHP12N60 | ||
Description | N-channel enhancement mode power MOS FET | ||
Fabricant | Feihonltd | ||
Logo | |||
描述
FHP12N60 为 N 沟 道 增 强 型 高 压 功 率
MOS场 效应管 。该产品可广泛适用于 AC-DC开
关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PMW马达
驱动。
特点
★ 12A,600V,RDS(on)(典型值)0.6Ω
★ 低电荷、低反向传输电容
★ 开关速度快
FHP12N60说明书
极限值(TC=25℃)
参数名称
漏极—源极电压
漏极电流 TC=25℃
栅源电压
耗散功率 TC=25℃
结温
储存温度
符号
VDSS
ID
VGS
PD
TJ
Tstg
特性参数值(TC=25℃)
数值
600
12
±30
180
150
-55~150
单位
V
A
V
W
℃
℃
参数说明
符号
测试条件
漏源反向电压
BVDSS VGS=0V, ID=250µA
漏源截止电流
IDSS VDS =600V, VGS= 0V
栅源截止电流
IGSS VGS = ±30V. VDS= 0V
通态电阻
RDS(on) VGS=10V, ID=6A
栅-源极开启电压 VGS(th)
源漏二极管正向
导通电压
VFsD
VDS = VGS, ID = 250µA
IS=12A,VGS=0V
最小值
600
——
——
——
2.0
——
典型值
——
——
——
0.6
——
——
最大值
——
1.0
±100
0.7
4.0
1.4
单位
V
µA
nA
Ω
V
V
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Pages | Pages 2 | ||
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No | Description détaillée | Fabricant |
FHP12N60 | N-channel enhancement mode power MOS FET | Feihonltd |
US18650VTC5A | Lithium-Ion Battery | Sony |
TSPC106 | PCI Bus Bridge Memory Controller | ATMEL |
TP9380 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | Advanced Semiconductor |
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