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Numéro de référence | 2SD2603 | ||
Description | SILICON NPN TRANSISTOR | ||
Fabricant | FOSHAN BLUE ROCKET | ||
Logo | |||
2SD2603(3DD2603)
硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途:用于一般功率输出放大。
Purpose: Power out amplifier applications.
特点:击穿电压高,饱和压降低。
Features: High VCEO,low V .CE(sat)
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号
数值 单位
Symbol
Rating
Unit
VCBO 100 V
VCEO 100 V
VEBO 5.0 V
IC 5.0 A
PC 2.0 W
PC(TC=25℃)
40 W
Tj 150 ℃
Tstg -55~150 ℃
电性能参数/Electrical characteristics(Ta=25℃)
参数符号
Symbol
测试条件
Test condition
ICBO
IEBO
hFE
VCE(sat)
fT
VCB=100V
VEB=5.0V
VCE=5.0V
IC=3.0A
VCE=5.0V
IE=0
IC=0
IC=1.0A*
IB=0.3A*
IC=500mA f=1.0MHz
最小值
Min
60
10
数值
Rating
典型值
Typ
最大值
Max
20
20
200
1.0
单位
Unit
μA
μA
V
MHz
*:脉冲测试/pulse test.
hFE 分档/hFE classifications: R:60~120 O:100~200
佛山市蓝箭电子股份有限公司
FOSHAN BLUE ROCKET ELECTRONICS CO., LTD.
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Télécharger | [ 2SD2603 ] |
No | Description détaillée | Fabricant |
2SD2600 | NPN Triple Diffused Planar Silicon Darlington Transistor Driver Applications | Sanyo Semicon Device |
2SD2603 | SILICON NPN TRANSISTOR | FOSHAN BLUE ROCKET |
2SD2604 | Silicon NPN Triple Diffused Type TRANSISTOR | Toshiba Semiconductor |
2SD2606 | Silicon NPN diffusion planar type Darlington | Panasonic |
US18650VTC5A | Lithium-Ion Battery | Sony |
TSPC106 | PCI Bus Bridge Memory Controller | ATMEL |
TP9380 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | Advanced Semiconductor |
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