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BLV40N20 fiches techniques PDF

BELLING - N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Numéro de référence BLV40N20
Description N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Fabricant BELLING 
Logo BELLING 





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BLV40N20 fiche technique
BLV40N20
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
低导通电阻
低反向传输电容
驱动简单
Preliminary
SEP. 2009
BVDSS
RDS(ON)
ID
200V
50mΩ
40A
产品介绍
200V 40A 大功率 VDMOS 器件,导通电阻小、驱动简单,适合 PDP 驱动电路使用
最大额定参数( TC=25oC 除非另有说明 )
符号
VDS
VGS
ID
IDR
参数
源漏电压
栅源电压
连续漏极电流
脉冲漏极电流 (注释 1)
体二极管连续漏极电流
体二极管脉冲漏极电流(注释 1)
注释: 1. 脉冲宽度 PW<10us, 占空比 duty cycle<1%
http://www.belling.com.cn
极限值
200
+ 30
40
160
40
160
单位
V
V
A
A
A
A
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No Description détaillée Fabricant
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