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EL321 fiches techniques PDF

KODENSHI - INFRARED EMITTING DIODES

Numéro de référence EL321
Description INFRARED EMITTING DIODES
Fabricant KODENSHI 
Logo KODENSHI 





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EL321 fiche technique
赤外発光ダイオード INFRARED EMITTING DIODES(GaAs)
EL321
EL321は、縦型透明樹脂でモールドされた高出力GaAs赤外発光ダイオードです。薄型・小型で実装が容易です。
The EL321 is a high-power GaAs IRED mounted in a clearlow profile side-viewing package. This IRED is both
compact and easy to mount.
特長 FEATURES
樹脂モールドタイプ
Plastic mold package
用途 APPLICATIONS
フォトインタラプタ、マウス、エンコーダ
Photointerrupters, Mouses, Encoders
最大定格 MAXIMUM RATINGS
(Ta=25℃)
Item Symbol Rating Unit
逆電圧
順電流
Reverse voltage
Forward current
VR 5 V
IF 50 mA
許容損失
パルス順電流
Power dissipation
Pulse forward current *1
PD
IFP
75 mW
1A
動 作 温 度 Operating temp.
Topr.
保 存 温 度 Storage temp.
Tstg.
半 田 付 温 度 Soldering temp.
*2 Tsol.
*1. パルス幅:tw≦100μs 周期:T=10ms
pulse width:tw≦100μs period:T=10ms
*2. リード根元より2mm離れた所で t=5 s
For MAX. 5 seconds at the position of 2mm from the resin edge
-20~+85
-25~+85
260
電気的光学的特性 ELECTRO-OPTICAL CHARACTERISTICS
Item
順  電  圧
Forward voltage
逆  電  流
発 光 出 力
Reverse current
Radiant intensity
*3
ピーク発光波長
Peak emission avelength
ス ペ ク ト ル 半 値 幅 Spectral bandwidth 50%
半  値  角
Half angle
*3. 特性検査機による
Measured by tester of KODENSHI CORP.
Symbol
VF
IR
Po
λP
△λ
△θ
Conditions
IF=20mA
VR=5V
IF=4mA
IF=20mA
IF=20mA
(Ta=25℃)
Min. Typ. Max. Unit.
1.2 1.5
V
─ ─ 10 μA
─ 500 ─ μA
─ 940 ─ nm
─ 50 ─ nm
─ ±30 ─
deg
本資料に記載しております内容は、技術の改良、進歩等によって予告なしに変更されることがあります。ご使用の際には、仕様書をご用命のうえ、
内容の確認をお願い致します。
The contents of this data sheet are subject to change without advance notice for the purpose of improvement. When using this product,
would you please refer to the latest specifications.
Sep.2012

PagesPages 3
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