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PDF MPSA44 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | MPSA44 | |
| Descripción | Silicon NPN Transistor | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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MPSA44
Silicon NPN Transistor
High Voltage
Absolute Maximum Ratings:
Collector−Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V
Collector−Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V
Emitter−Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mA
Total
DDeveircaeteDAisbsoipvaeti2o5n5(CTA.
=
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255C),
......
.P.D.
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..
625mW
5mW/5C
Total
DDeveircaeteDAisbsoipvaeti2o5n5(CTC.
=
..
255C),
......
.P. D.
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. . . . 1.5W
12mW/5C
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −555 to +1505C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −555 to +1505C
Thermal Resistance, Junction−to−Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83.35C/W
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2005C/W
Electrical Characteristics: (TA = +255C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
OFF Characteristics
Collector−Emitter Breakdown Voltage
Collector−Base Breakdown Voltage
Emitter−Base Breakdown Voltage
Collector Cutoff Current
ON Characteristics (Note 1)
V(BR)CEO
V(BR)CES
V(BR)CBO
V(BR)EBO
ICBO
ICES
IC = 1.0mA, IB = 0, Note 1
IC = 1003A, VBE = 0
IC = −1003A, IE = 0
IE = −103A, IC = 0
VCB = 400V, IE = 0
VCE = 400V, VBE = 0
DC Current Gain
Collector−Emitter Saturation Voltage
Base−Emitter Saturation Voltage
hFE
VCE(sat)
VBE(sat)
VCE = 10V, IC = 1mA
VCE = 10V, IC = 10mA
VCE = 10V, IC = 50mA
VCE = 10V, IC = 100mA
IC = 1mA, IB = 0.1mA
IC = 10mA, IB = 1.0mA
IC = 50mA, IB = 5.0mA
IC = 10mA, IB = 1mA
Note 1. Pulse Test: Pulse Width 3 3003s, Duty Cycle 3 2%.
Min Typ Max Unit
400 − −
500 − −
500 − −
6.0 − −
− − 0.1
− − 500
V
V
V
V
3A
nA
40 − −
50 − 200
45 − −
40 − −
− − 0.4 V
− − 0.5 V
− − 0.75 V
− − 0.75 V
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| MPSA42 | NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTORS |  CDIL |
| MPSA42 | NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor |  SEMTECH |
| MPSA42 | EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR |  KEC |
| MPSA42 | NPN High Voltage Amplifier |  Fairchild |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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