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PDF UD4606 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza UD4606
Descripción DUAL ENHANCEMENT MODE Power MOSFET
Fabricantes Unisonic Technologies　
Logotipo Unisonic Technologies Logotipo



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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
UD4606
DUAL ENHANCEMENT MODE
(N-CHANNEL/P-CHANNEL)
DESCRIPTION
The UTC UD4606 provides excellent RDS(ON) and low gate
charge by using advanced trench technology MOSFETs. The
complementary MOSFETs may be help to form a level shifted high
side switch and also for lots of other applications.
FEATURES
* N-Channel: 30V/6.9A
RDS(ON) = 22.5 mΩ (typ.) @VGS =10V
RDS(ON) = 34.5 mΩ (typ.) @VGS=4.5V
* P-Channel: -30V/-6A
RDS(ON) = 28 mΩ (typ.) @VGS= -10V
RDS(ON) = 44 mΩ (typ.) @VGS= -4.5V
* Reliable and rugged
SYMBOL
Power MOSFET
DIP-8
SOP-8
ORDERING INFORMATION
Ordering Number
Lead Free Plating
Halogen Free
UD4606L-D08-T
UD4606G-D08-T
UD4606L-S08-R
UD4606G-S08-R
Package
DIP-8
SOP-8
Pin Assignment
12345678
Packing
S1 G1 S2 G2 D2 D2 D1 D1 Tube
S1 G1 S2 G2 D2 D2 D1 D1 Tape Reel
www.unisonic.com.tw
Copyright © 2013 Unisonic Technologies Co., Ltd
1 of 8
QW-R502-144.D

1 page




UD4606 pdf
UD4606
TYPICAL CHARACTERISTICS
N-CHANNEL
Power MOSFET
On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
70
ID=5A
60
50
40 125℃
30
20 25℃
10
2
46
8 10
Gate to Source Voltage,VGS (V)
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
www.unisonic.com.tw
1.0E+01
Body Diode Characteristics
1.0E+00
1.0E-01
1.0E-02
1.0E-03
1.0E-04
125℃
25℃
1.0E-05
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
Body Diode Forward Voltage,VSD (V)
5 of 9
QW-R502-144.D

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
UD4606DUAL ENHANCEMENT MODE Power MOSFETUnisonic Technologies
Unisonic Technologies
UD4606QPower MOSFET ( Transistor )Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

 Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

 Analog Devices
Analog Devices


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