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PDF 2SC3838K Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | 2SC3838K | |
| Descripción | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR | |
| Fabricantes | WEJ | |
| Logotipo |  |
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RoHS
2SC3838K
2SC3838K TRANSISTOR (NPN)
FEATURES
TDPower dissipation
.,LPCM:
0.15 W (Tamb=25℃)
Collector current
ICM: 0.05 A
Collector-base voltage
OV(BR)CBO:
20 V
Operating and storage junction temperature range
CTJ, Tstg: -55℃ to +150℃
SOT-23-3L
1. BASE
2. EMITTER
3. COLLECTOR
2. 80¡ À0. 05
1. 60¡ À0. 05
ICELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)
Parameter
NCollector-base breakdown voltage
OCollector-emitter breakdown voltage
REmitter-base breakdown voltage
TCollector cut-off current
Emitter cut-off current
CDC current gain
ECollector-emitter saturation voltage
LTransition frequency
ENoise figure
Symbol
V (BR) CBO
V (BR) CEO
V (BR) EBO
ICBO
IEBO
hFE
VCE (sat)
fT
F
Test conditions
Ic=10µA, IE=0
Ic= 1mA, IB=0
IE= 10µA, IC=0
VCB= 10 V , IE=0
VEB= 2V , IC=0
VCE= 10V, IC= 5mA
IC=-10 mA, IB= 5mA
VCE=10V, IC= 10mA
f = 500MHz
VCE=6V, IC= 2mA
f = 500MHz
MIN
20
11
3
27
1.4
TYP
MAX
0.5
0.5
270
0.5
UNIT
V
V
V
µA
µA
V
GHz
4 dB
JCLASSIFICATION OF hFE
ERank
L
WRange
27-56
M
39-82
N
56-120
P
82-180
Q
120-270
Marking
AD
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| 2SC3838 | High-Frequency Amplifier Transistor |  ROHM Semiconductor |
| 2SC3838 | Silicon NPN Transistor |  Inchange Semiconductor |
| 2SC3838 | HIGH-FREQUENCY AMPLIFIER TRANSISTOR |  Unisonic Technologies |
| 2SC3838 | NPN Plastic Encapsulated Transistor |  SeCoS |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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