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PDF SSC8025GS6 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza SSC8025GS6
Descripción P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Fabricantes AFSEMI 
Logotipo AFSEMI Logotipo



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No Preview Available ! SSC8025GS6 Hoja de datos, Descripción, Manual

SSC8025GS6
P-Channel Enhancement Mode MOSFET with ESD Protection
Features
VDS VGS
-20V ±8V
RDSon TYP
50m R@-4V5
60m R@-2V5
70m R@-1V8
96m R@-1V5
ID ESD
-4A 3kV
Applications
Load Switch
Portable Devices
DCDC Conversion
Pin configuration
Top View
D
General Description
This device uses advanced trench technology to provide
excellent RDS(ON) , low gate charge and operation with
gate voltages as low as 1.5V and it is protected from
ESD. These feathures make it suitable for use as a load
switch or in PWM applications.
Package Information
GS
SOT23
Unit:mm
SSC-4V0
http://www.afsemi.com
1/4

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
SSC8025GS6P-Channel Enhancement Mode MOSFETAFSEMI
AFSEMI

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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